与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

§ 5.1放大电路频率特性的基本概念 §5.2复频域分析法 §5.3单级放大电路的频率特性

第六章放大器反馈原理及稳定化基础 6.1反馈放大器的基本概念 6.2负反馈对放大器性能的影响 6.3负反馈放大器的分析与计算 6.4负反馈对放大器频域和时域特性的影响 6.5负反馈放大器的稳定性 6.6相位补偿原理与技术

§ 5.1放大电路频率特性的基本概念 §5.2复频域分析法 §5.3单级放大电路的频率特性

4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 4.1.2 JFET伏安特性曲线 4.1.3 绝缘栅场效应管

3.1 .1 BJT参数的温度特性 3.1.2 主要镜像电流源

2.2.2共集电极电路(射随器) 1电路结构 2.3.1 CE－CB串接放大电路 2 .3.2 CE-CC组合放大器

§1.1 半导体材料及导电特性 §1.2 PN结原理 §1.3 晶体二极管及应用

一学时:2学时 二目的要求: 1.了解RS,JK,D触发器的组成 2.掌握RS,JK,D触发器的功能 三重点:

一,学时:2学时 二.目的要求: 1.掌握基本门电路的分析 2.掌握组合逻辑电路的分析