《电子技术》第15章半导体二极管和三极管

15.1半导体的导电特性 15.2PN结 15.3半导体二极管 15.4稳压二极管 15.5半导体三极管

团购合买资源类别：文库，文档格式：PPT，文档页数：43，文件大小：953KB

子术第15章半导体二极管和三极管 151半导体的导电特性 152PN结 153半导体二极管 154稳压二极管 155半导体三极管总目录章目录返回上一页下一页

总目录章目录返回上一页下一页第15章半导体二极管和三极管 15.3 半导体二极管 15.4 稳压二极管 15.5 半导体三极管 15.2 PN结 15.1 半导体的导电特性

子术第15章半导体三极管和三极管本章要求、理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和电流放大作用; 了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线,理解主要参数的意义; 会分析含有二极管的电路。总目录章目录返回上一页下一页

总目录章目录返回上一页下一页第15章半导体二极管和三极管本章要求：一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用；二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；三、会分析含有二极管的电路

子术对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法,不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况, 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标, 就不要过分追究精确的数值器件是非线性的、特性有分散性、RC的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法总目录章目录返回上一页下一页

总目录章目录返回上一页下一页学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用

151半导体的导电特性子术 ◆◆令令令令令令令令令令令令令令令令令令令令令令令令令半导体的导电特性: 热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化(可做成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。总目录章目录返回上一页下一页

总目录章目录返回上一页下一页 15.1 半导体的导电特性半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强

子术 151.1本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。 >>飞, 心 X Si 5I( Si 共价健八晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价键中的两个电子,称为价电子。总目录章目录返回上一页下一页

总目录章目录返回上一页下一页 15.1.1 本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子

自由电子本征半导体的导电机 a电子价电子在获得一定能量 >⑩八>飞, (温度升高或受光照)后, e6③ 即可挣脱原子核的束缚, 成为自由电子(带负电) >>>> 同时共价键中留下一个空 Si Si!位,称为空穴(带正电) 空穴个冫7> 这一现象称为本征激发。温度愈高,晶体中产价电子生的自由电子便愈多。在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当于空穴的运动(相当于正电荷的移动) 总目录章目录返回上一页下一页

总目录章目录返回上一页下一页 Si Si Si Si 价电子价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。空穴温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。自由电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）

本征半导体的导电机理子术当半导体两端加上外电压时,在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动→电子电流 (2)价电子递补空穴→空穴电流自由电子和空穴都称为载流子。自由电子和空穴成对地产生的同时,又不断复合。在一定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡,半导体中载流子便维持一定的数目。注意: (1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差; (2)温度愈高,载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。总目录章目剥返回止上一页下一页

总目录章目录返回上一页下一页本征半导体的导电机理当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 →电子电流 (2)价电子递补空穴 →空穴电流注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和空穴都称为载流子。自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目

子术 1512N型半导体和P型半导体在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素), 形成杂质学导体在常温下即可 >变为自由电子掺入五价元素 S 掺杂后自由电子数目三余大量增加,自由电子导电 0③8电成为这种半导体的主要导子电方式,称为电子半导体动画或N型半导体。失去磷原子在N型半导体中自由电子电子变为是多数载流子,空穴是少数正离子载流子。总目录章目录返回上一页下一页

总目录章目录返回上一页下一页 15.1.2 N型半导体和 P 型半导体掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。掺入五价元素 Si Si p+Si Si 多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）, 形成杂质半导体。在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。动画

子术 15.12N型半导体和P型半导体 >了动画掺入三价元素 Si 空穴掺杂后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方 CB S 式,称为空穴半导体或硼原子 P型半导体接在P型半导体中空穴是多电子变为数载流子,自由电子是少数负离子载流子。无论N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性。总目录章目剥返回止上一页下一页

总目录章目录返回上一页下一页 15.1.2 N型半导体和 P 型半导体掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。掺入三价元素 Si Si Si Si 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 B– 硼原子接受一个电子变为负离子空穴动画无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性

子术 1.在杂质半导体中多子的数量与a (a.掺杂浓度、b温度)有关。 2.在杂质半导体中少子的数量与b (a.掺杂浓度、b.温度)有关。 3.当温度升高时,少子的数量c (a.减少、b.不变、c.增多)。 4.在外加电压的作用下,P型半导体中的电流主要是b,N型半导体中的电流主要是a (a.电子电流、b空穴电流) 总目录章目录返回上一页下一页

总目录章目录返回上一页下一页 1. 在杂质半导体中多子的数量与（a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与（a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量（a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 a b c 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是，N 型半导体中的电流主要是。（a. 电子电流、b.空穴电流） b a

点击进入文档下载页（PPT格式）

共43页，可试读15页，点击继续阅读 ↓↓

点击下载（PPT格式）

浏览记录