一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PNP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路

5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路

7.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 7.2 差分式放大电路 7.3 差分式放大电路的传输特性 *7.4 带有源负载的差分放大电路 7.5 集成运算放大器 7.6 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 7.7 变跨导式模拟乘法器 7.8 放大电路中的噪声与干扰

3.1 MOS 逻辑门电路 3.1.1 根据表题 3.1.1 所列的三种逻辑门电路的技术参数，试选择一 种最合适工作在高噪声环境下的门电路

9.1门电路 9.2组合逻辑电路分析基础 9.3编码器 9.4译码显示电路 9.5数值比较器和数据选择器

本书由三大部分构成。第1、2章是纳米技术的基本情况；第3~7章主要是纳米电、磁、光功能材料及其在电子元器件中的应用；8~10章则主要是纳米电子学的基本知识。三个部分有一定的独立性联结起来又成一体。可供电子科学技术、材料、物理、化工、冶金等学科和相关技术人员使用

5.1 概述 5.1.1 功率放大器的主要指标 5.1.2 功率放大器的分类 5.2 互补推挽功率放大器 5.3 其它形式的功放电路 5.4 功率器件、散热及保护电路

一、是非题 1、电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;() 2、设置静态工作点的目的是为了使信号在整个周期内不发生线性失真。()

一、功率晶体管GTR 二、功率功效应晶体管（P-MOSFET） 三、绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 四、自关断器件驱动电路