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华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(一)4.4 场效应管放大电路——场效应管放大电路
文档格式:PPT 文档大小:661KB 文档页数:15
• 直流偏置电路 • 静态工作点 • FET小信号模型 • 动态指标分析 • 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(一)4.3 场效应管放大电路——金属-氧化物-半导体场效应管
文档格式:PPT 文档大小:848KB 文档页数:13
4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(一)4.2 场效应管放大电路——砷化镓金属-半导体场效应管
文档格式:PPT 文档大小:109KB 文档页数:1
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(一)4.2 场效应管放大电路——砷化镓金属-半导体场效应管
基于声波测速的充填体完整性检测
文档格式:PDF 文档大小:388.54KB 文档页数:5
为检测水泥-尾砂充填体内部构造和力学性能,采用钻芯法从采场充填挡墙或相应部位施工覆盖整个采场的地质孔取样,使用SY-1型声波仪对样品进行声波测试,通过配套软件分析波形和频谱.结果表明:波速和动弹性力学指标的差距源自强度和疏密构造差异;虽不同充填体声波波速不同,但其声波波形和频谱成分基本相同;声波延时长、主频集中、频谱较简洁且振幅较高,反映出充填体内部夹杂、孔洞和空穴等缺陷少,结构较完整
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(一)4.1 场效应管放大电路——结型场效应管
文档格式:PPT 文档大小:294.5KB 文档页数:9
• 结构 • 工作原理 • 输出特性 • 转移特性 • 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数
透气砖在炉底位置与钢液吹氩行为的数值模拟
文档格式:PDF 文档大小:622.48KB 文档页数:3
以精炼钢包为研究对象,在不同的透气砖位置的条件下,采用多相流模型计算了吹氩后钢包内钢液的流场,通过对流场数值的多元回归,计算了透气砖在钢包底部的最佳位置.结果表明:随着透气砖在钢包底部位置的变化,吹氩对钢液的搅拌效果也有很大的影响,当透气砖位置在钢包底部距中心位置为0.44R0~0.48R0之间时,底吹氩对钢液搅拌得更均匀
地转偏向力对侧顶复吹AOD炉流场影响的理论分析
文档格式:PDF 文档大小:0.99MB 文档页数:4
基于地转偏向力的原理和120 t侧顶复吹AOD炉的构造,对AOD炉和地转偏向力的关系进行了理论分析和计算,认为地转偏向力通过对AOD炉内侧枪和顶枪气流的作用影响其流场.针对本研究的AOD炉,计算表明地转偏向力使顶枪气流从出口到熔池液面发生7.92×10-8(°)的偏转,使侧枪气流发生1.88×10-4(°)的偏转,说明地转偏向力对侧枪气流的影响更大
热卷箱式炉内板坯温度场模拟
文档格式:PDF 文档大小:430.25KB 文档页数:4
根据热卷箱式炉中板坯卷取及保温过程的导热特点,建立了温度场计算模型.用有限元程序计算出的结果与实际基本相符,应用此模型,可对薄板坯连铸连轧缓冲区的效果进行评估,以及有助于辅助工艺设计与优化
重庆大学材料学院:《计算机在材料工程中的应用》课程教学课件(PPT讲稿)第二章 材料科学中的数值模拟与计算
文档格式:PPT 文档大小:269KB 文档页数:46
一、温度场的模拟计算 二、浓度场的模拟计算
圆坯连铸结晶器电磁搅拌数学模拟
文档格式:PDF 文档大小:987.35KB 文档页数:5
用数学模拟对马钢一钢厂圆坯连铸结晶器(断面尺寸为φ450mm)电磁搅拌过程进行了研究,找出变化规律,确定合理的工艺参数,优化结晶器流场.电磁搅拌过程的计算结果表明:磁场强度随搅拌频率减小、搅拌电流增大而增大;电流强度不改变磁场分布;在结晶器高度方向上磁场分布呈现中间大两端小的特征,流场在搅拌力作用下更趋于合理.最佳搅拌工艺参数为:搅拌电流350A,频率2Hz.
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