一、磁场对晶体中的电子的作用(自由电子模型)

存储元:一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料

第一章 半导体中的电子状态 1、Si 和 GaAs 的晶体结构 2、Ge、Si 和 GaAs 的能带结构 3、本征半导体及其导电机构、空穴 4、本征半导体及其导电机构、空穴

例 1. 证明:对于能带中的电子，K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零

4~1 氢原子光谱和波尔理论 4~2 原子的量子力学模型 4~3 原子核外电子结构 4~4 元素基本性质的周期性变化 4~5 离子键 4~6 共价键 4~7分子间力和氢键 4~8晶体结构简介

一、回忆:硅的晶体结构;如何形成

放大电路如图所示，设晶体管 特性相同， 且 电容器对交流信号均可视为短路。 计算：

7.1 555集成定时器 7.1.1 5G555定时器的电路结构 7.1.2 定时器的逻辑功能 7.2 施密特触发器 7.2.1 用555定时器构成施密特触发器 7.2.2 集成施密特触发器 7.2.3 施密特触发器的应用 7.3 单稳态触发器 7.3.1 由555定时器构成的单稳态触发器 7.3.2 用施密特触发器构成单稳态触发器 7.3.3 集成单稳态触发器 7.3.4 单稳态触发器的应用 7.4 多谐振荡器 7.4.1 用555定时器构成多谐振荡器 7.4.2 用施密特触发器构成多谐振荡器 7.4.3 石英晶体多谐振荡器

2.3.1 频率响应的基本概念 2.3.1.1 晶体管电流放大系数的频响特性 定义：

按照Ri的定义，在图2―33(b)电路的输 入端加一电压Ui，这时，从输入端看进去的电 阻为RB ‖rbe，因此Ri= RB