1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

第七章晶体缺陷 第一章所述的晶体结构是理想晶体的结构,但是在实际应用的金属中,总是 不可避免地存在着不完整性,即原子的排列都不是完美无缺的。实际金属中原子 排列的不完整性称为晶体缺陷。按照晶体缺陷的几何形态特征,可以将其分为以 下三类:

3.2.1 锻造 3.2.2 冲压 3.2.3 轧制（自学） 3.2.4 挤压（自学） 3.2.5 其它塑性成形方法（自学）

第九章熔炼过程检测试验 第一节金属熔炼过程概述 一、熔化用炉 1、冲天炉2、火焰炉3、电阻熔炼炉 4、红外熔炼炉5.感应加热炉6.电弧炉 二、金属熔炼的主要工序 1、炉料的准备及装炉 2、熔体处理

单元2基本内容和要求 基本概念 掌握有关合金、组元、相、二元合金、组织等概念 二.合金基本相的类型 了解各自的种类、特点、形成过程及其对合金性能的影响

7.1 零件表面成形与机械加工方法 7.2 切削运动与切削要素 7.3 刀具结构与材料 7.4 金属切削过程及物理现象 7.5 工件材料加工性 7.6 高速切削技术

采用ZL-2超强脉冲放电装置实现了7A04超硬铝合金试件中斜裂纹的止裂实验.在瞬间超强脉冲电流作用下,裂尖前缘发生了强烈的绕流热集中现象,斜裂纹裂尖附近金属熔化,钝化了裂尖,阻止了干线裂纹源的开裂趋势.对止裂前后裂尖附近金属组织进行了显微观察,并对止裂前后裂纹附近的断口进行了对比分析;在万能材料试验机上对试件进行了拉伸力学性能对比测试.研究表明:在斜裂纹止裂瞬间,裂尖熔化,同时实现了组织超细化,提高了裂纹的扩展功,改善了试件的抗拉力学性能

利用熔铸-原位反应喷射沉积成形技术制备了TiC颗粒增强A1-20Si-SFe复合材料.分析了内生TiC颗粒对喷射沉积Al-20Si-5Fe合金微观组织的影响.结果表明:喷射沉积A1-20SI-5Fe合金微观组织中常出现脆性、针状的A1-SI-Fe三元金属间化合物相.在A1-20Si-5Fe合金中内生一定量的TiC颗粒,有助于减小粗晶Si颗粒的尺寸、消除针状的A1-Si——Fe三元金属间化合物相

￾ 单电子近似的基本思想 ￾ 布洛赫定理 ￾ 金属自由电子的空晶格模型 ￾ 能带的一般性 ￾ 电子在外场中的运动 ￾ 金属、半导体、绝缘体能带的差别 一、基本内容 二、学习要点 熟练掌握以下内容 ￾ 布洛赫定理及能带的一般性 ￾ 能带的起因的物理解释，能带的一般特点 ￾ 固体导电性与能带结构的关系

￾ 经典电子理论及其局限性 ￾ 量子自由电子理论 ￾ 态密度及费米面 ￾ 金属的接触势差 ￾ 电子比热 一、基本内容 二、学习要点 ￾ 掌握量子理论的提出过程 ￾ 掌握态密度的求法 ￾ 熟练掌握费米面的概念