1. 半导体激光器工作原理 3. 量子阱半导体激光器 2. 异质结半导体激光器 4. 半导体激光器的谐振腔结构 5. 半导体激光器的特性

一、电磁学 二、波动光学 三、三量子论

一、硬盘 二、软盘系统 三、大容量可更换磁盘 四、光盘储存系统 五、 Flash电子盘

1.1 半导体中的电子状态 1.2 半导体的电学性质 1.3 半导体的光学性质 1.4 半导体磁学性质

一、薄膜制备工艺 二、光刻工艺 三、刻蚀工艺（Etch Process） 四、掺杂工艺 五、氧化工艺 六、其它工艺 • CMP(chemical mechanical planarization) • SOI (silicon on insulator) • 铜互连 • 硅片键合与背面腐蚀技术 • 注氧隔离技术(SIMOX) • 智能剥离技术

一、 光的实质 1、光是一种电磁波 2、红外线，波长为340μm～780nm。 3、可见光，波长为780nm～380nm。 4、紫外线，波长为380nm～10nm

1.1 信号 1.3 模拟信号和数字信号 1.2 信号的频谱 1.4 放大电路模型 1.5 放大电路的主要性能指标

• 光纤通信简史 • 光纤通信网络

复旦大学：《光子学器件与工艺 Photonics Devices and Technology》文献资料_中国科学（2003）负折射率

复旦大学：《光子学器件与工艺 Photonics Devices and Technology》文献资料_Science_Integrated Compact Optical Vortex Beam Emitters（于思远）