5.1 功率放大电路的一般问题 5.2 乙类互补对称功率放大电路 5.3 甲乙类互补对称功率放大电路 *5.4 集成功率放大器 5.5 功率器件

重要概念 1、图形加速端口 2、有源阵列和无源阵列 3、带电耦合器件

1、PN结的原理和二极管的等效电路。 2、半导体内部载流子运动规律。 3、晶体二极管、晶体三极管、结型场效应管、绝缘栅型场应管的工作原理和特性曲线

电荷为信号 基本功能电荷的存储和转移 工作过程:产生、存储、传输和检测 两类:电荷包在半导体和绝缘体之间,界 面传播(SCCD);电荷包存储在离表面一 定深度的体内,体内传播(BCCD)

集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用

第一节光敏电阻 第二节光电池 第三节光敏二极管

1.半导体物理基础。包括半导体的特性、能 带理论、载流子及运动、载流子对光的吸收、半 导体的PN结及与金属的接触。 2.光电效应。光电器件依据的物理基础主要 是固体的光电效应,就是固体中决定其电学性质 的电子系统直接吸收入射光能,使固体的电学性 质发生改变的现象。例如:光电子发射效应、光 电导效应、光生伏特效应等

《物理光学》课程教学资源（PPT课件）晶体光学性质的图形表示、晶体光学器件

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

1-1-1功率半导体技术新进展 一、功率开关器件发展阶段