（1）16位微处理器； （2）采用高速运算性能的HMOS工艺制造，芯片上集成了2.9万只晶体管； （3）使用单一的+5V电源，40条引脚双列直插式封装(DIP)； （4）时钟频率为5MHz~10MHz，基本指令执行时间为0.3ms~0.6ms

重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 重 点 之 二:Ge、Si和GaAs的能带结构 重 点 之 三:本征半导体及其导电机构、空穴

一、概述 二、布洛赫定理 三、布里渊区 四、克龙尼克一潘尼问题 五、许可带与禁带

一、磁场对晶体中的电子的作用(自由电子模型)

存储元:一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料

第一章 半导体中的电子状态 1、Si 和 GaAs 的晶体结构 2、Ge、Si 和 GaAs 的能带结构 3、本征半导体及其导电机构、空穴 4、本征半导体及其导电机构、空穴

例 1. 证明:对于能带中的电子，K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零

4~1 氢原子光谱和波尔理论 4~2 原子的量子力学模型 4~3 原子核外电子结构 4~4 元素基本性质的周期性变化 4~5 离子键 4~6 共价键 4~7分子间力和氢键 4~8晶体结构简介

一、回忆:硅的晶体结构;如何形成

放大电路如图所示，设晶体管 特性相同， 且 电容器对交流信号均可视为短路。 计算：