一、阻抗和导纳 二、正弦稳态电路的分析 三、正弦稳态电路的功率 四、复功率 五、最大功率传输

一、分子扩散与菲克定律 二、气相中的稳定分子扩散 三、扩散系数 四、对流传质 五、吸收机理——双膜理论 六、吸收速率方程式

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.对于普通的点接触二极管,一般具有的特性是() A.最大整流电流大,最高工作频率高 B.最大整流电流小,最高工作频率高 C.最大整流电流大,最高工作频率低 D.最大整流电流小,最高工作频率低

一、沉降速度 1、球形颗粒的自由沉降 2、阻力系数 3、影响沉降速度的因素 4、沉降速度的计算 5、分级沉降 二、降尘室 1、降尘室的结构 2、降尘室的生产能力

第一章 生产决策 第二章 成本分析

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分 1.在图所示的二极管中,当温度上升时,电流将() A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定

第一章 需求（demand) 第二章 供给 (supply) 第三章 市场均衡价格的决定 (equilibrium price) 第四章 弹性理论与分析（elasticity) 第五章 供求理论的应用

第一节 受精 第二节 早期胚胎的发育和附植 第三节 胎膜、胎盘和胎儿营养学 第四节 妊娠维持和妊娠母畜的生理变化 第五节 妊娠诊断 第六节 分娩

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

申论考试是对应试者阅读理解能力、综合分析能力、提出和解决问题能力、文字 表达能力的测试。 作答参考时限，阅读材料 40 分钟，答卷 110 分钟。 仔细阅读给定资料，按照后面提出的申论要求依次作答