一、剔除数据中的“奇异项” 二、去除数据中的电平漂移 三、去除 / 提取趋势项 四、测量数据的平滑滤波

一. 学习指导课设置的目的和意义 二. 专业人才培养计划和学分制的特点 三. 学分和学分绩 四. 毕业和学位的要求 五. 选课、免修、补考和重修 六. 学籍管理 七. 纪律处分 八. 双专业、双学位和拔尖学生培养 九. 小结

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

第一节 概率论的基本概念 第二节 样本空间、随机事件 第三节 频率与概率 第四节 等可能概型(古典概型) 第五节 条件概率 第六节 独立性 一、事件的相互独立性 二、几个重要定理 三、例题讲解

第一讲 服务经济现状 第二讲 服务发展模式 第三讲 服务运营战略 第四讲 服务产品开发 第五讲 服务盈利模式 第六讲 服务质量管理 第七讲 服务流程设计 第八讲 服务收益管理

概述 三氯化铁蚀刻 过硫酸盐蚀刻 铬酸/硫酸蚀刻 蚀刻技术 氯化铜蚀刻 过氧化氢/硫酸 蚀刻工艺 侧蚀与镀层突沿 侧蚀设备

1、了解示波器的基本工作原理和通用示波器的组成； 2、熟悉通用示波器面板上各旋钮、开关的作用与内部电路原理的联系，掌握示波器的正确使用方法； 3、掌握示波器测量技术