4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

运算放大器大多被制作成集成电路，所以常称为集成 运算放大电器，简称为集成运放。在一个集成电路中，可以含有一个运算放大器，也可以含有多个(两个或四个)运算放 大器，集成运算放大器既可作直流放大器又可作交流放大器， 其主要特征是电压放大倍数高，功率放大很大，输入电阻非常大和输出电阻较小

12.1 TTL集成门电路 12.2 其它类型的TTL门电路 12.3 组合逻辑电路的分析 12.4 组合逻辑电路的设计 12.5 集成组合逻辑电路

运算放大器大多被制作成集成电路，所以常称为集成 运算放大电器，简称为集成运放。在一个集成电路中，可以 含有一个运算放大器，也可以含有多个(两个或四个)运算放 大器，集成运算放大器既可作直流放大器又可作交流放大器， 其主要特征是电压放大倍数高，功率放大很大，输入电阻非 常大和输出电阻较小

《模拟电子技术》课程教学资源（电子讲义）06 放大电路中的反馈

《模拟电子技术》课程教学资源（电子讲义）05 放大电路的频率响应

1.1 电路的作用与组成部分 1.2 电路模型 1.3 电压和电流的参考方向 1.4 欧姆定律 1.5 电源有载工作、开路与短路 1.6 基尔霍夫定律 1.7 电路中电位的概念及计算

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