1、电对与原电池之间熟练转换。 2、各类平衡对电极电位的影响：浓度、酸度、氧还反应、配位反应、沉淀反应（均由能斯特方程）

在700℃、3kg/cm2的恒压下进行下列反应 C4H10(A)→2C2H4(B)+H2(C) 反应开始时,系统中的含量为116kg, 当反应完成50%时,丁烷的分压以2.4kg/ cm2·s的速率发生变化,试求下列各项的 变化速率:(a)乙烯的分压;(b)的摩尔数; (c)丁烷的摩尔分率

第一节 常用氧化剂 第二节 氧化反应

采用热分析法对多组元铝热剂Fe2O3-CrO3-NiO-Al的反应行为进行了研究.结果发现,CrO3的分解、气化、挥发等热特性强烈影响铝热剂反应行为和反应产物的成分

概述 磺化剂的种类 磺化反应历程 磺化反应的影响因素 磺化方法 磺化后处理 磺化过程的控制与产品鉴定

目录 第一章取代基效应 第二章立体化学( 第三章有机反应活性中间体 第四章饱和碳原子上的亲核取代反应 第五章芳环上的取代反应 第六章碳碳重键的加成反应

设计了非反应性保护渣,利用热丝法和渣膜热流模拟仪研究了Li2O含量对其结晶行为和渣膜传热特性的影响.结果表明:在小于2%的范围内增加Li2O的质量分数可减弱非反应性保护渣的结晶性能;而在2%~5%范围内增加Li2O的质量分数,则渣系晶体析出孕育时间缩短,结晶温度升高,临界冷却速度增大,结晶速率常数增大,即促进了非反应性渣系的结晶.同时发现,在2%~5%范围内增加Li2O的质量分数,非反应性保护渣的最大热流密度、平均热流密度及特征时间均减小

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

模拟研究O2、SO2和HCl三种烟气气体与飞灰存在状态对汞形态转化的影响,并探讨温度对其转化的作用.结果表明:在不同气氛中,反应温度升高有利于汞的氧化,但N2-SO2的烟气体系则相反;O2、SO2和HCl单独存在于烟气中时,对汞的氧化起到不同程度的促进作用,其中HCl的效果最好;烟气中含有O2和HCl将使汞的氧化率明显提高;当SO2与HCl同时存在于烟气中时,SO2会通过与HCl反应抑制汞的氧化过程.飞灰为氧化反应提供反应介质和催化剂,促进烟气中汞的形态转化

基础实验 实验 1 培养基的配制.1 实验 2 消毒与灭菌.5 实验 3 微生物的接种技术.13 实验 4 微生物分离与纯化技术.16 实验 5 圆褐固氮菌的分离、纯化与测定.19 实验 6 从病鱼体上分离、纯化病原菌.22 实验 7 噬菌体分离、纯化与效价的测定.24 实验 8 各种微生物菌落形态的观察.30 实验 9 细菌个体形态的观察.34 实验 10 细菌细胞单染色观察.36 实验 11 细菌的革兰氏染色.39 实验 12 细菌鞭毛染色与观察.42 实验 13 细菌芽孢染色与观察.45 实验 14 细菌荚膜染色与观察.47 实验 15 放线菌的形态观察.49 实验 16 酵母菌的形态观察.51 实验 17 霉菌的形态观察.54 附：在中学生物学教学中，如何观察微生物.57 实验 18 细菌和酵母菌体大小的测量.59 实验 19 微生物数量的测定.63 实验 20 细菌生理生化反应试验.73 实验 21 多项微量生化反应快速鉴定技术.86 实验 22 氧影响微生物生长的试验.90 实验 23 厌氧微生物的培养.95 实验 24 温度影响微生物生长的试验.100 实验 25 不同 NaCl 浓度影响微生物生长的试验.102 实验 26 pH 影响微生物生长的试验.104 实验 27 不同碳源物质对微生物培养生长的影响.106 实验 28 微生物菌种保藏.108 实验 29 免疫血清的制备.110 实验 30 凝集反应.113 实验 31 沉淀反应.116 综合实验 实验 32 水中细菌学检查.119 I 水中细菌总数的测定.119 I I 水中大肠菌群的检测 . . . . . . . . . . .123 实验 33 酒精发酵及糯米甜酒的酿制.128 实验 34 高淀粉酶活性枯草芽孢杆菌菌株的筛选与育种技术.130 实验 35 食用菌培养. 135