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快速划伤法研究裸露金属的点蚀热力学
文档格式:PDF 文档大小:598.6KB 文档页数:7
采用快速划伤法对18-8Ti、316L不锈钢和Incoloy800合金在氯化钠溶液中的裸表面临界点蚀电位Ec进行了精确的测量。分析了金属裸表面上点蚀的形成机理,指出了裸表面临界点蚀电位的物理意义。研究表明,Ec与氯离子浓度成半对数关系。比较并分析了Ec与动电位法测得的点蚀击破电位Eb、保护电位Ep之间的关系。研究表明,Ec与Eb在不同pH值的氯化钠溶液中表现出相同的变化规律,并通过测得再钝化系数的变化规律来说明pH值对Ec和Eb的影响
雁北师范学院化学系:《物理化学》课程教学课件(PPT电子教案)第七章 电化学
文档格式:PPT 文档大小:3.15MB 文档页数:126
7.1 电解质溶液的导电特征 7.2 电导、电导率、摩尔电导率 7.3 电解质的活度和活度系数 7.4 可逆电池和可逆电极 7.5 电极电势与可逆电池热力学 7.6 电池电动势的测定及应用 7.7 实际电极过程 7.8 电解时的电极反应 7.9 金属的电化学腐蚀与防腐
《电力电子装置设计与应用》 第七讲 控制电路设计
文档格式:PPT 文档大小:89.5KB 文档页数:12
一、控制电路设计注意事项 ①主电路保护的设置 这里所讲的保护,主要是针对电源变换装置里 的器件,需要保护的状态包括:过电压、过电流、 过热等。 电力电子装置里的许多元件,特别是半导体器 件,对电压电流非常敏感,正确地设置保护电路, 对电源变换装置的安全运行至关重要
天津中德职业技术学院:《楼宇智能化技术》第一章 建筑设备监控系统
文档格式:PDF 文档大小:1.03MB 文档页数:60
2.1楼宇自动化系统概述 2.2空调系统监控功能 2.3制冷站系统监控功能 2.4供热站系统监控功能 2.5给排水系统监控功能 2.6送排风系统监控功能 2.7供电系统监控功能 2.8照明系统监控功能 2.9电梯系统监控功能
清华大学出版社:《数据结构(C语言版)》课程教材PDF电子书(共十二章)
文档格式:PDF 文档大小:7.8MB 文档页数:342
数据结构”是计算机程序设计的重要理论技术基础,它不仅是计算机学 科的核心课程,而且已成为其他理工专业的热门选修课。本书是为“数据结 构”课程编写的教材,其内容选取符合教学大纲要求,并兼顾学科的广度和深 度,适用面广
《功能材料》:Si/PEDOT:PSS杂化太阳能电池的研究进展(华北电力大学)
文档格式:PDF 文档大小:559.81KB 文档页数:13
重点针对Si/PEDOT:PSS杂化太阳能电池结构优化及性能改进方面的最新研究热点,分析了当前硅基杂化电池发展的问题,指出了Si/PEDOT:PS杂化太阳能电池的发展方向
《思想道德修养与法律基础》课程教学资源(电子教案)第二章 继承爱国主义传统弘扬民族精神
文档格式:DOC 文档大小:91.5KB 文档页数:19
1.教学目的:加强爱国主义教育是高职院校德育教育基本任务之一,针对学生缺乏对 爱国主义系统认识的现状,加深对爱国主义的理解,培养民族自豪感,增强民族凝聚力。 本着以学生为本的理念,注重结合实际讲解知识,突出爱国主义的时代价值,使学生正确 理解爱国主义的内涵,做忠诚的爱国者。 2.教学要求:本章通过讲授爱国主义的内涵、爱国主义的时代价值及弘扬民族精神, 使学生不仅懂得爱国,还要知道怎样爱国。激发学生们的爱国情感和热情,增强学生立志 成材的精神动力
《思想道德修养与法律基础》课程教学资源(电子教案)绪论——珍惜大学生活 开拓新的境界
文档格式:DOC 文档大小:128.5KB 文档页数:24
1、了解“思想道德修养与法律基础”课的性质和基本内容,解决“是什么”和“学什么” 的问题。 2、让学生认识到学习“思想道德修养与法律基础”课与自己的成长成才密切相关,能否 学好这门课关系到自己的未来前途和人生价值的实现,从而激发起努力学习的兴趣和热情, 自觉践行社会主义核心价值体系,提高思想道德素质和法律素质,解决“为什么学”的问题。 3、认识“思想道德修养与法律基础”课的特点,掌握正确的学习方法,提高学习的积极 性和主动性。解决“如何学”的问题
同济大学:《高等数学》课程电子教案(PPT课件讲稿)第二章(2.3)导数的概念
文档格式:PPT 文档大小:587KB 文档页数:57
忌数的概念 在许多实际问题中,需要从数量上研究变量的 变化速度。如物体的运动速度,电流强度,线密 度,比热,化学反应速度及生物繁殖率等,所有 这些在数学上都可归结为函数的变化率问题,即导数。 本章将通过对实际问题的分析,引出微分学中两个最重要的基本概念导数与微分,然后再建立求导数与微分的运算公式和法则,从而解决 有关变化率的计算问题
西安交通大学:《芯片制造-半导体工艺实用教程》 第四章 芯片制造概述
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
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