对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

8.3 吸光光度法的灵敏度与准确度 8.4 显色反应与分析条件的选择 8.5 吸光光度法的应用 8.6 紫外可见分光光度法在有机定性分析中的应用

一.选择题 1.金属的光电效应的红限依赖于 (A)入射光的频率(B)入射光的强度 (C)金属的逸出功(D)入射光的频率和金属的逸出功

第一、二节 热辐射 普朗克能量子假说 第三节 光电效应 爱因斯坦光量子理论 第四节 康普顿散射 第五节 光的波粒二象性

第一节 化学法 第二节 测定旋光度法 第三节 紫外光谱法 第四节 红外光谱法 第五节 NMR 波谱法 第六节 旋光光谱和圆二色散光谱（另） 第七节 X-射线衍射法（略）

第一节 化学法 第二节 测定旋光度法 第三节 紫外光谱法 第四节 红外光谱法 第五节 NMR 波谱法 第六节 旋光光谱和圆二色散光谱 第七节 x-射线衍射法（略）

一、干涉选择题: 1、如图,用波长为1的单色光照射双缝干涉实验装置,若将一折射率为n,劈尖角为a的透明劈尖插入光线2中,则当劈尖缓慢地向上移动时(只遮住S2),屏上的干涉条纹: (A)间隔变大,向下移动

上海交通大学：《大学物理教程》课程电子教案（课件讲稿）第19章 光的偏振 19.1 偏振光与自然光

§20-1 光的相干性 §20-2 双缝干涉 空间相干性 §20-3 薄膜的等倾干涉 §20-4 薄膜的等厚干涉 §20-5 干涉仪 相干长度 §20-6 偏振光的干涉

一、横波与偏振现象