5.1 BJT 5.1.1 BJT的结构简介 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 5.1.3 BJT的V-I 特性曲线 5.1.4 BJT的主要参数 5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 5.2 基本共射极放大电路 5.3 BJT放大电路的分析方法 5.3.1 BJT放大电路的图解分析法 5.3.2 BJT放大电路的小信号模型分析法 5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题 5.4.1 温度对静态工作点的影响 5.4.2 射极偏置电路 5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 5.5.1 共集电极放大电路 5.5.2 共基极放大电路 5.5.3 BJT放大电路三种组态的比较 5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较 5.7 多级放大电路 5.7.1 共射-共基放大电路 5.7.2 共集-共集放大电路 5.7.3 共源-共基放大电路 5.8 光电三极管

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

7.1 半导体二极管 7.2 半导体三极管 7.3 三极管单管放大电路 7.4 场效应晶体管及其放大电路 7.5 多级放大电路 7.6 差动放大电路 7.7 互补对称功率放大电路

5.1.1在甲类、乙类和甲乙类放大电路中,放大管的导通角分别等于多少?它们中哪一类放 大电路效率最高? 解在输入正弦信号情况下,通过三极管的电流ic不出现截止状态(即导通角=2)的称 为甲类;在正弦信号一个周期中,三极管只有半个周期导通(=x)的称为乙类;导通时间大于半 周而小于全周(<0<2)的称为甲乙类。其中工作于乙类的放大电路效率最高,在双电源的互 补对称电路中,理想情况下最高效率可达

第一章 晶体二极管 第二章 晶体三极管

第一章 晶体二极管 第二章 晶体三极管 第三章 场效应管

4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数

一、填空(本题25分) 1.对共射、共集和共基三种组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选 用 组态;若希望带负载能力强,应选用 组态;若希望高頻 性能好,应选用 组态。 2.晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区,即: 要使三极管工作在放大区必须给发射 结加 、集电结加

北京大学：《电路分析原理 Circuit Analysis》课程电子课件_第八章 二极管电路 §8-4 稳压管与稳压电路 第九章 双极晶体管电路 §9-1 双极晶体管的静态特性 §9-2 晶体三极管放大电路之组成 §9-3 晶体三极管的小信号模型