作为探测研究半导体深能级缺陷的手段，导纳谱测试方法被逐渐开发拓展，比如测量异质结材料的能带偏移.本文介绍了利用导纳谱测量半导体量子阱的量子限制效应的实验原理方法以及装置系统，并且对一些半导体量子阱样品进行了测量，得到了激活能等实验结果

§2.1 PN结的基本介绍 §2.2 PN结的耗尽近似理论 §2.3 PN结的直流IV特性 §2.4 PN结的CV特性 §2.5 PN结的瞬态特性 §2.6 PN结的击穿特性 §2.7 异质结与高低结 §2.8 几种典型二极管的应用

第四章光源和光电检测器 4.1半导体的能带理论 4.2PN结的能带结构 4.3同质结和异质结 4.4发光二极管的工作原理 4.5半导体激光器的工作原理 4.6LD的工作特性 4.7光电检测器的工作原理和主要要求 4.8PIN和APD的工作原理 4.9光电检测器的工作特性

§4.1 金属半导体结 §4.2 肖特基势垒二极管SBD §4.3 欧姆接触 §4.4 结型场效应晶体管JFET §4.5 肖特基栅场效应晶体管MESFET §4.6 异质结MESFET

§11.1 半导体发光二极管(LED) §11.2 半导体激光器概述 §11.3 半导体激光器原理 §11.4 半导体激光器特性 §11.5 同质结和异质结激光器 §11.6 分布反馈半导体激光器 §11.7 量子阱半导体激光器

第一章 晶格结构和结合性质 第二章 半导体中的电子状态 第三章 电子和空穴的平衡统计分布 第四章 输运现象 第五章 过剩载流子 第六章 pn结 第七章 半导体表面层和MIS结构 第八章 金属半导体接触和异质结