pn结是在一块半导体中用掺杂的办法 做成两个导电类型不同的部分。一般pn 结的两边是用同一种材料做成的,也称为同质结〃。广义上说,如果结两边是用不同的材料制成,就称为`异质结”, 但一般所说的指两种不同半导体材料的 接触构成的半导体异质结。根据结两边的半导体材料的导电类型,异质结可分为两类:反型异质结(pn,n-p)和同型 异质结(n-n,p-p)。另外,异质结又可 分为突变型异质结和缓变型异质结,当前人们研究较多的是突变型异质结

同质结:由同种半导体材料构成的N区或P区,形成的PN结。如将两块带隙宽度相同、掺杂不 同的半导体材料,在一定的条件下生长在一起形成同质结。 异质结:两种带隙宽度不同的半导体材料生长在同一块单晶上形成的结。 同型异质结:结的两边导电类型相同:NN,PP结 异型异质结:结的两边导电类型不相同:NP,PN结 对于异型异质结:两种材料的带隙不同

第一节 异质结及其能带图 第二节 异质结在半导体光电器件中的作用 第三节 异质结制备工艺与晶格匹配 第四节 超晶格与量子阱

§6.1 金属/半导体接触和肖特基势垒 §6.2 实际肖特基势垒高度的调制 §6.3 肖特基二极管及其IV特性 §6.4 M/S的欧姆接触 §6.5 异质结

§1.1 微波晶体管种类与特性 §1.2 BJT硅双极型微波晶体管 §1.3 微波场效应晶体管 §1.4 异质结微波晶体管HEMT, PHEMT, HBT, SiGe HBT §1.5 小信号微波晶体管放大器 §1.6 放大器噪声参数 §1.7 微波晶体管放大器设计 §1.8 微波功率放大器

1. 半导体激光器工作原理 3. 量子阱半导体激光器 2. 异质结半导体激光器 4. 半导体激光器的谐振腔结构 5. 半导体激光器的特性

光纤通信基础_第五章 光纤通信中的光源（异质结半导体激光器的工作原理）

pn结是在同一块半导体中用掺杂的办法做成 两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边 是用同一种材料做成的，也称为“同质结”

综述了多晶卤化物钙钛矿薄膜的局限性, 卤化物钙钛矿量子点的基本光学性质和制备方法, 以及在光电探测器方面的器件结构研究进展, 并重点介绍了应用在0D-2D混合维度异质结基光电晶体管器件的突破, 包括界面载流子行为和高性能光探测器的构建.最后, 总结了卤化物钙钛矿量子点作为未来商业化应用的光电子器件和电子器件的候选材料所面临的主要问题和挑战, 譬如化学不稳定性、铅毒性问题、量子点与其他材料间界面高效电荷传输等问题, 并提出了解决思路和方法.这为设计和推进高性能、高稳定性卤化物钙钛矿量子点基光电功能化器件的商业化应用指明了方向

柔性电子器件具有独特的形状可塑性，因而引起了人们极大的研究热情.柔性电子器件在未来或将成为下一代电子器件的重要分支，在电子显示、二极管、生物医疗器件、太阳能电池等领域有着广阔的发展前景.近些年，许多研究人员将柔性技术与自旋电子学相结合，开始探索应变对于生长在柔性衬底上的磁电异质结磁电性质的影响，通过改变柔性衬底的曲率等手段调控器件的磁电效应.相关基础研究为磁存储器、磁传感器、非易失性阻变存储器等电子器件的研究开辟了新思路