❖ 第一节 电子光学基础 ❖ 第二节 电子与固体物质的相互作用 ❖第三节 透射电镜（TEM） ❖第四节 扫描电镜 ❖第五节 电子探针(Electron Micro￾probe Analysis, EMPA or EPMA) 第六节 扫描隧道显微镜 (STM) 第七节 原子力显微镜 (AFM) 第八节 电子显微镜分析在材料研究中的应用 ❖ 一、形态、精度的分析 ❖ 二、元素的存在状态分析 ❖ 三、玻璃的非晶态结构分析 ❖ 四、材料断面的研究 ❖ 五、晶界（微观研究） ❖ 六、微区结构分析 ❖ 七、高分子材料的研究

第一节 金属材料的主要性能 第二节 常用金属材料 第三节 钢的热处理 第四节 非金属工程材料

同质结:由同种半导体材料构成的N区或P区,形成的PN结。如将两块带隙宽度相同、掺杂不 同的半导体材料,在一定的条件下生长在一起形成同质结。 异质结:两种带隙宽度不同的半导体材料生长在同一块单晶上形成的结。 同型异质结:结的两边导电类型相同:NN,PP结 异型异质结:结的两边导电类型不相同:NP,PN结 对于异型异质结:两种材料的带隙不同

研制了一种由羰基铁粉和导电聚苯胺（PAn）复合而成的新型宽频带雷达吸波材料.通过扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）分析其微观组成是羰基铁粉表面包覆聚苯胺；复合吸收剂0.9mm单层吸波涂层在6～18GHz范围内吸收量达5dB.通过设计还可以进一步拓宽频带和增强吸收.这种材料重量较轻、耐腐蚀、频带宽，有望开发成为实用吸波材料

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

一、纳米材料概论 二、纳米材料的生物性 三、纳米材料的毒理学及安全性 四、纳米器件性能可靠性分析案例

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

为了探讨Cr3C2强化相提高Cr3C2/Ni3Al复合材料耐磨性的机制, 本文采用热等静压技术制备了Ni3Al合金和Cr3C2/Ni3Al复合材料, 借助纳米压痕仪对Ni3Al合金和Cr3C2/Ni3Al复合材料中各组成相的力学性能进行了表征, 利用销-盘式摩擦磨损试验机研究了热等静压Ni3Al合金和Cr3C2/Ni3Al复合材料的耐磨性能, 并结合扫描电子显微镜和纳米压痕仪分析了材料磨损表面形貌和磨损次表面层硬度变化.结果表明, Cr3C2的添加提高了复合材料基体的硬度, Cr3C2/Ni3Al复合材料中各组成相的纳米硬度和弹性模量由基体相、扩散相到硬芯相是逐渐增大的, 呈现出梯度变化, 有利于提高Cr3C2/Ni3Al复合材料的耐磨性.在本研究实验条件下, Ni3Al合金和Cr3C2/Ni3Al复合材料表面的磨损形式主要为磨粒磨损, Cr3C2/Ni3Al复合材料表现出更加优异的耐磨性能.Cr3C2/Ni3Al复合材料耐磨性能的提高主要跟碳化物强化相阻断磨粒切削、减弱摩擦副间相互作用、减小加工硬化层厚度、磨粒尺寸等因素有关

以粉煤灰为骨料,采用添加造孔剂法制备粉煤灰基多孔陶瓷过滤材料,研究了造孔剂用量和烧结温度对其性能的影响.通过压汞仪、X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜等分析测试技术对试样进行了性能表征.结果表明:随着造孔剂用量的增加,显气孔率和吸水率升高,抗弯强度和密度下降.提高烧结温度可以有效提高抗弯强度,而不影响材料的主要物相组成;当烧结温度大于1175℃时,显气孔率和透气度显著下降.造孔剂用量为35%,烧结温度为1175℃时,可制得抗弯强度大、气孔发达及高比表面积的多孔陶瓷过滤材料

历史的长河流过了石器时代，流过了青铜时代和铁器时代，终于在二十世纪的门口进入了五光 十色的高分子时代。尽管高分子材料作为“时代”姗姗来迟，却已在不知不觉中伴随人类走过了几 千年的路程。蚕丝、棉、麻等高分子材料早在公元前就进入了人类的生活，而材料骄子—橡胶的“发 现”，更为人类自觉开发和使用高分子材料开启了大门