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要点： 连续薄膜的电导 岛状薄膜的电导 外因对岛状薄膜电导的影响 网状薄膜的电导 外因对连续薄膜电导的影响

本章要点： 薄膜的内应力 薄膜的附着性能 附着类型 附着力的性质 影响薄膜附着力的工艺因素 薄膜附着力的测量 内应力的类别 内应力的成因 内应力的测量

一、概述 二、薄膜样品的制备 三、衍衬成象原理 四、相位衬度简介

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

1.1 薄膜的定义 1.2 薄膜的特性 1.3 薄膜技术与薄膜材料受到广泛关注的原因 1.4 薄膜的分类 1、电功能膜： 如绝缘膜、半导体膜、导电膜和压电膜等。 2、磁功能膜： 如磁记录膜、巨磁电阻膜、隧道磁阻薄膜、磁光等 3、光功能膜： 包括光敏膜、光记录膜、光反射膜、光分离膜。 4、分离膜： 包括气体分离膜、液体分离膜、气-液分离膜。 5、催化膜： 这类膜具有化学功能，包括催化膜、反应膜。 6、气敏膜： 这类膜对不同的气体，例如：CO2、NH3、CH4等有不同的敏感性。 1.5 薄膜材料与技术所研究的问题

2.1 真空的基本知识 2.2 真空的获得 2.3 真空的测量

6.1 有机半导体中的电子状态与载流子 6.2 载流子的注入与传输机理 6.3 OTFT的结构、原理与特性 6.4 OTFT中的关键材料 6.5 有机半导体材料的成膜技术 6.6 OTFT中的掺杂 6.7 OTFT中的图形化技术

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质