采用5Cu-9.5NiO-85.5NiFe2O4金属陶瓷阳极在不同的低温铝电解质体系中进行测试.用扫描电镜和X射线衍射对电解后阳极的微观结构进行研究;用电感耦合等离子体原子发射光谱测定电解后产品铝和电解质中杂质元素含量,计算并比较不同电解质组成条件下的阳极腐蚀速率.结果表明:向Na3AlF6-30AlF3体系添加质量分数约为20%的K3AlF6,该阳极表现出好的耐腐蚀性能

以上海五钢集团第三炼钢厂试验为基础,通过对97炉现场试验结果的统计分析,得出了加入HBI后的脱硫、脱磷工艺和其他杂质元素(包括N,Ni,Cu,Sn,Sb,As等)含量的变化情况,并讨论了加入HBI后对各项技术经济指标的影响;研究了HBI的最佳加入比例和加入HBI后的优化炉料结构;提出了HBI的运输、储存和使用方面降低成本的途径

采用自制的装置,通过阳极弧光放电法制备了内包覆Fe/Co磁性纳米粒子的碳纳米管(CNTs).利用透射电子显微镜(TEM)、拉曼散射光谱和X射线衍射(XRD)对其进行表征,用振动样品磁强计(VSM)检测得到其磁学性能参数.TEM测试表明,CNTs杂质少,管径均匀一致,CNTs内包覆的物质均匀、连续,且为Fe/Co粒子.磁学性质的测量表明,CNTs的磁学性能较包覆前有了很大的改善,其比饱和磁化强度σs为17.30A·m2·kg-1,比剩余磁化强度σr为3.96A·m2·kg-1,矫顽力Hc为31521.60A·m-1

基于合金元素的晶位占据特性,本文提出了一个用于研究非磁性元素Cu作用机制的模型体系,计算了它们的电子结构。结果表明:Cu置换2c晶位Co导致体系能谱向浅势阱移动,能隙减小,原子间电荷重新分布,并产生了新的由杂质贡献的态;分波局域态密度给出了体系中各原子间的轨道相互作用。对Hellmman-Feynman力的分析表明:Cu置换2c晶位Co显著降低了体系的热膨胀各向异性

概念：由三个杂质半导体区（发射区，基区，集电区）及两个PN结（发射结和集电结）构成的，有两种载流子（自由电子和空穴）在其内部作扩散、复合、漂移等复杂运动的PNP或NPN晶体管

一、掌握我国药典中巴比妥类药物的鉴别和含量测定的基本原理与方法。 二、熟悉国外药典本类药物鉴别和含量测定的基本原理与方法。 三、了解本类药物的体内分析方法。 巴比妥类药物是环状酰脲类的镇静催眠药，我们知道巴比妥类药物剂量由小到大，中枢抑制作用相继表现为镇静、催眠、抗惊厥和麻醉作用，其中苯巴比妥还具有抗癫痫的作用。 结构剖析 理化特征 鉴别试验 杂质检查 含量测定 练习与思考

第一章 硅的基本性质 第二韋 硅的提纯 第三章 晶体生长原理和基本技术 第四章 硅的体单晶生长和硅片加工 第五章 硅和硅基薄膜的外延生长 第六章 硅材料的测试与分析 第七章 硅中的缺陷 第八章 硅中的杂质

一、载流子的漂移运动和迁移率 二、迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 三、载流子的散射 四、强电场效应 五、霍尔效应 六、磁阻效应

1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用； 2. 讨论杂质扩散的原理和过程； 3. 对离子注入有一个总体认识，包括它的优缺点； 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性； 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统； 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应； 7. 描述离子注入的各种应用

2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体 半导体的导电机制 2.1 半导体的基本知识