利用弱腐蚀倾向的溶液环境，控制20CrMnTi钢产生有限的亚稳态蚀点分布.运用电化学噪声法，研究了20CrMnTi钢亚稳态蚀点的萌生规律，结合ANSYS有限元计算，导入真实腐蚀形貌，对比研究了不同腐蚀条件下蚀孔周边的应力分布与裂纹萌生风险.结果表明，20CrMnTi具有较高的点蚀敏感性，其亚稳态蚀点集中在杂质相边缘优先形核，随Cl-浓度的升高，点蚀孕育期明显缩短，点蚀敏感性增大.不同Cl-浓度下引起的形核速率上升会缩短蚀点间距，表面微裂纹易连接蚀点而发生扩展，增大裂纹萌生风险

研究了电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)的仪器主要参数(射频功率、雾化气流量、离子透镜电压)对15种稀土元素的离子、氧化物离子、氢氧化物离子和氢化物离子信号强度及各多原子离子产率的影响,并对各稀土元素多原子离子产率与各稀土元素性质的关系进行了探讨.研究结果有助于在测定单一高纯稀土中的其他稀土杂质时,选择仪器参数

采用一种简便、快速、低温的溶胶凝胶自蔓延燃烧法制备了纳米TiO2粉体颗粒.从柠檬酸络合反应的机理阐释了纳米TiO2粒子的形成过程.通过热综合分析、X射线衍射和透射电镜分析探讨了金属离子与柠檬酸的摩尔比和溶液杂质离子的存在对TiO2粉体颗粒物相组成及粉末晶粒尺寸大小的影响.本实验制备了粒径为40~90 nm分散性较好的球形状TiO2纳米颗粒.X射线衍射结果表明,当摩尔比为0.5时,自燃合成产物中金红石相的质量分数达到91%

通过适当的非真空冶炼+电渣重熔工艺,制备了含Cr的Fe3Al基金属间化合物合金.实验发现,选择适当的热输入工艺参数,电渣重熔过程极大地降低了Fe3Al基金属间化合物合金中的S,O,H,P等杂质元素的含量,改善了析出相的大小与分布.铸锭具有良好的热加工性能,经锻造和中温热机械处理后,纵向室温延伸率分别超过8%和10%,屈服强度超过400MPa,断裂强度达到700 MPa,力学性能与同类真空冶炼大体积材料的性能相当

开发了用10tEAF熔炼20Cr2Ni4A渗碳轴承钢的工艺过程.结果表明,在合理的试验条件下,能获得W[H]<5x10-6电解杂质总量合格的产品,因此,单一电弧炉冶炼是可行的

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

§1.1 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应 §1.2 半导体二极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管 六、二极管的应用

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体管的结构与符号 晶体管的工作状态及放大原理 晶体管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的工作状态、参数及特点

半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与晶体二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体三极管的结构与符号 晶体管的放大原理 晶体三极管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的参数及特点