一、实验目的 l．掌握 CMOS 集成门电路的逻辑功能和器件的使用规则。 2．学会 CMOS 集成门电路主要参数的测试方法 二、实验原理 1．CMOS 集成电路是将 N 沟道 MOS 晶体管和 P 沟道 MOS 晶体管同时用于一个集成电路中，成为组合二种沟道 MOS 管性能的更优良的集成电路，CMOS 集成电路的

6.1 集成电路运算放大器中的电流源 6.2 差分式放大电路 6.3 集成电路运算放大器 6.4 集成电路运算放大器的主要参数 6.5 专用型集成电路运算放大器 6.6 放大电路中的噪声与干扰

6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 高输出阻抗电流源 4. 组合电流源 6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源 6.2 差分式放大电路 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.4.1 CMOS MC14573集成电路运算放大器 6.4.2 BJTLM741集成运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 6.5.1 实际集成运放的主要参数 6.5.2 集成运放应用中的实际问题 6.6 变跨导式模拟乘法器 6.7 放大器中的噪声和干扰 6.7.1 放大电路中的噪声 6.7.2 放大电路中的干扰

第1章 VLSI概论 第1部分 硅片逻辑 第2章 MOSFET逻辑设计 第3章 CMOS集成电路的物理结构 第4章 CMOS集成电路的制造 第5章 物理设计的基本要素 第2部分 从逻辑到电子电路 第6章 MOSFET的电气特性 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 第8章 高速CMOS逻辑电路设计 第9章 CMOS逻辑电路的高级技术 第3部分 VLSI系统设计 第10章 用Verilog硬件描述语言描述系统 第11章 常用的VLSI系统部件 第12章 CMOS VLSI引运算电路 第13章 存储器与可编程逻辑 第14章 系统级物理设计 第15章 VLSI时钟和系统设计 第16章 VLSI电路的可靠性与测试

6.3.1 简单的集成电路运算放大器 6.3.2 通用型集成电路运算放大器

VHDL Very high speed integration circuits Hardware Description Language 一种集成电路的硬件描述语言; 用于进行数字集成电路的设计;

数字集成电路的设计流程 设计输入:以电路图或HDL语言的形式形成 电路文件;输入的文件经过编译后,可以 形成对电路逻辑模型的标准描述; 逻辑仿真(功能仿真):对如上形成的逻 辑描述加入输入测试信号,检查输出信号 是否满足设计要求;在此没有考虑任何时 间关系,只是检测逻辑是否有错;

1.1信息与信息技术 1.2微电子技术简介 ◼内容 ◼微电子技术与集成电路 ◼集成电路的制造 ◼集成电路的发展趋势 1.3 通信技术 ◼IC卡 1.4 数字技术基础

 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用