研究直流电弧等离子体喷射化学气相沉积金刚石膜系统中,基片温度对金刚石膜生长速率和质量的影响.实验发现,金刚石膜的生长速率和结晶性随基片温度的增加而单调增加,但是金刚石膜中非金刚石碳的质量分数先是随基片温度的增加而降低,在1000~1100℃达到最低值以后又开始随基片温度的增加而增加

为了解决电压型PWM整流器直接功率控制系统主电路参数设计问题,根据整流器在dq两相同步旋转坐标系中的数学模型建立了其功率控制数学模型.基于功率控制数学模型,结合整流器直接功率控制系统的特点,推得交流侧电感是由功率、功率滞环比较器环宽及开关平均频率决定的;直流侧直流电压是由交流电压、电感及负载决定的;突加负载时直流侧电容是由直流电压波动、功率、电感及负载决定的.根据上述影响主电路参数的诸多因素,提出交流侧电感、直流侧电压及直流侧电容的设计方法.计算机仿真和实验证明了本文提出的设计方法是可行的

1、直流电源的组成 2、整流电路的结构、原理及性能指标 3、滤波电路的工作原理及性能指标 4、串联稳压电路的工作原理 5、开关稳压电路

采用数值分析方法,分析工作温度、扁排与环境的换热量、载流量等工作条件对铜包铝扁排导电性能的影响.结果表明:当扁排工作温度升高时,交流功率损耗增加的比值小于直流电阻增大的比例;当包覆层断面结构相同时,扁排可承载的平均电流密度随断面面积的增大而减小;采用单位长度直流电阻相同的铜包铝导电扁排替代铜扁排,在节省铜资源和原材料成本的同时,铜包铝扁排可承载的最大载流量增加,功率损耗和工作温度降低

10.1 直流电源的组成及各部分作用 10.2 整流电路 10.3 滤波电路 10.4 稳压二极管稳压电路 10.5 串联型稳压电路 10.6 开关型稳压电路

利用电压型PWM整流器的数学模型分析了PWM整流器直接功率控制(DPC)的原理,讨论了功率滞环比较器环宽对PWM整流器的影响.为了降低开关频率和减少开关损失,增加功率滞环比较器环宽则引起瞬时有功功率和直流电压波动现象;提出了设置扇形边界死区的控制策略,减少扇形边界误选开关量现象,使瞬时有功功率和直流电压波形趋于平稳.通过Simulink环境下仿真模型的仿真,证明了该策略的可行性

第6章直流电源 6.1直流稳压电源 6.2晶闸管和可控整流电路 要求: 1、掌握单相整流、滤波、稳压电路的工作原理及参数的计算。 2、了解集成稳压电路的性能及应用

一、判断下列说法是否正确,用“√”“×表示判断结果填入空内。 (1)直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。()

第一部分 1-1答:直流由于换向器的作用,使电刷短接的元件始终切割相同磁极,感应电势在电刷两端不变,故直流机能发出直流电。 如果没有换向器,直流机不能发出直流电,而只能发出交流电。 1-2答:(1)电刷两端的是交流电压:

假定氩-氢等离子体处于局部热力学平衡状态,利用理想气体分子运动论和经典查普曼-恩斯科格(ChapmanEnskog)方法,在获取符合直流电弧等离子体喷射法实际工况的等离子体热力学和输运参数的基础上,基于FLUENT软件进行二次开发,添加电磁场相关的电流连续方程、安培定律等方程及洛伦兹力、焦耳热等源项,模拟研究氩氢摩尔比对等离子体放电特征影响规律.结果表明:在气压为8 k Pa,工作电流150 A,氩氢摩尔比由3∶1降至1∶3时,等离子体最大流速由829 m·s-1增至1127 m·s-1,最高温度由20600 K逐渐降低至16800 K,电弧对基体的加热能力逐渐增强的同时使基体表面温度均匀性变差.在其他条件不变的前提下,氩氢摩尔比为1∶2时能获得适宜金刚石生长且相对均匀的基体表面温度