半导体材料结构、分类及特性介绍，半导体薄膜材料的制备方法，主要介绍液相外延、气相外延和分子束外延。

报道了利用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜(TEM)研究结果,并对量子点的结构特性进行了讨论.结果表明:多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势;随着InAs量子点层数的增加,量子点的密度下降,其尺寸随层数的增加趋向均匀.在试验条件下,5层量子点材料的InAs量子点厚度和GaAs隔离层的厚度的选择都比较合理,其生长过程中的应变场更有利于自组织量子的形成

§10.1 典型复合反应动力学 1. 对峙反应 2. 平行反应 3. 连串反应 §10.2 复合反应的近似处理方法 1. 稳态近似法 2. 平衡态近似法 §10.3 链反应 1. 一般原理 2. 直链反应 3. 支链爆炸 §10.4 反应机理的探索和确定示例 例1 2NO + O2  2NO2 例3 H2 +Br2  2HBr 例2 丙酮与碘的反应 §10.5 催化反应 1、均相催化：H+对酯类水解的催化 2、复相催化：V2O5对SO2 +O2 SO3 催化 3、生物催化（酶催化）：馒头发酵，制酒发酵。 §10.6 光化学概要 §10. 7 快速反应与分子反应动力学研究方法简介 1.阻碍流动技术 2.闪光光解技术 3.弛豫技术 4.交叉分子束技术 5.态－态反应技术

结合德国ＰＨＹＷＥ公司生产的Ｓｔｅｒｎ－Ｇｅｒｌａｃｈ实验仪，简述了Ｓｔｅｒｎ－Ｇｅｒｌａｃｈ实验的基本原理和内容设计；系统介绍了具体实验装置的组成部件和功能；考虑入射原子束的麦克斯韦速率分布后，理论分析了最终原子沉积束斑的形状；给出了典型的实验测量数据，讨论了测量曲线的偏差来源和进一步设想，评述了这一实验项目教学的意义．

束流发射度及光源亮度 束流发射度 同步辐射光源的光通量及亮度 弯铁 Undulator(波荡器) Wiggler(扭摆器) 束流不稳定性 束流不稳定性的分类 尾场和阻抗 电子储存环中束流不稳定性

辐射激发 束团尺寸 束团宽度 束团高度 横向振荡耦合时的束团尺寸 束团长度 辐射效应的激发与阻尼两个过程最终会达到一个平衡状态，平衡状态下的束团将具有稳定的分布 探讨这个稳定分布的具体形式，这个稳定分布也是我们直观看到的分布 就x、y、s三个方向的分布，分别进行讨论