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湖南人文科技学院大学物理电子技术基础模拟部分第五版作业习题答案。

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电子科技大学微电子与固体电子学院微电子科学与工程系编写：刘诺独立制作：刘诺第一篇半导体中的电子状态

主要内容（纳米电子学部分） 一、绪论 二、纳米结构制作技术 三、纳米电子学基础 四、纳米电子器件 总结： • 1、纳米技术简介 • 2、纳米结构加工技术 • 3、纳米电子基础 • 4、纳米器件简介

§6.1 能带模型的物理图象 §6.2 斯托纳能带模型 §6.3 赫巴德(Hubband)模型（自学）

一、半导体中电子状态和能带 二、半导体中电子的运动和有效质量 三、半导体中载流子的产生及导电机构 四、半导体的能带结构

例 1. 证明:对于能带中的电子，K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零

3.1 PCSS实验与理论研究现状 3.2 半导体材料的光吸收机理 3.3 高偏置电场下载流子分布规律的实验结论 3.4 高偏置电场下载流子散射机制 3.5 GaAs PCSS的线性物理机制 3.6 GaAs PCSS的非线性物理机制