主要内容（纳米电子学部分） 一、绪论 二、纳米结构制作技术 三、纳米电子学基础 四、纳米电子器件 总结： • 1、纳米技术简介 • 2、纳米结构加工技术 • 3、纳米电子基础 • 4、纳米器件简介

§6.1 能带模型的物理图象 §6.2 斯托纳能带模型 §6.3 赫巴德(Hubband)模型（自学）

一、半导体中电子状态和能带 二、半导体中电子的运动和有效质量 三、半导体中载流子的产生及导电机构 四、半导体的能带结构

例 1. 证明:对于能带中的电子，K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零

3.1 PCSS实验与理论研究现状 3.2 半导体材料的光吸收机理 3.3 高偏置电场下载流子分布规律的实验结论 3.4 高偏置电场下载流子散射机制 3.5 GaAs PCSS的线性物理机制 3.6 GaAs PCSS的非线性物理机制

1-1矢量分析与场论基础 一、矢量与矢量场 标量与矢量 标量:只有大小,没有方向的物理量(温度,高度等)矢量:既有大小,又有方向的物理量(力,电、磁场强度)矢量的表示方式矢量可表示为:A=Ae其中A为其模值,表征矢量的大小;

西安电子科技大学：《固体物理》课程教学资源（PPT课件讲稿）第四章 固体能带论——固体中电子的状态和能谱 §4-3 能态密度 4-4-1 近自由电子模型

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