电流放大作用实用电路的演示、计算，生动、详细地介绍了该晶体管的放大原理，动画清晰、形象，并配有解说。

法第七讲静态工作点的稳定第八讲晶体管放大电路的三种接法第九讲场效应管及其放大电路第十讲多级放大电路

工作点的稳定.ppt第8讲晶体管放大电路的三种接法.ppt第9讲场效应管及其放大电路.ppt第10

本资源为高频电子线路（含勘误表），包括各章节完整PPT课件、各章节相关知识点flash动画素材，是一个难得的高频电子课件： 绪论.ppt 第一章 选频网络与阻抗变换.ppt 第二章 高频小信号放大器.ppt 第三章 正弦波振荡器.ppt 第四章 频谱搬移电路.ppt 第五章 角度调制与解调电路.ppt 第六章 反馈控制电路与频率合成技术.ppt 第七章 高频功率放大器.ppt 第八章 噪声与干扰.ppt 高频电子线路勘误.doc 注：各章节附相关知识点flash动画素材。

2、半导体二极管及其基本电路.ppt3、半导体三极管及放大电路基础.ppt4、场效应管放大电路.pp

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

6.1 有机半导体中的电子状态与载流子 6.2 载流子的注入与传输机理 6.3 OTFT的结构、原理与特性 6.4 OTFT中的关键材料 6.5 有机半导体材料的成膜技术 6.6 OTFT中的掺杂 6.7 OTFT中的图形化技术

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性