间电子运动示意图.swf本征激发.swf电离杂质散射示意图a.swf电离杂质散射示意图b.swf电子

学技术学院《半导体物理》ppt电子教案，主要讲解半导体中的电子状态、半导体中杂质和缺陷能级等内容。

测定方法。二、熟悉本类药物其它的含量测定方法以及杂质检查方法。三、了解维生素A三点校正法的推导过程。

例1.有一硅样品,施主浓度为D=2,受主浓度为=10cm,已知 施主电离能△ED=E-E=0.05eV,试求99%的施主杂质电离时的温度。 思路与解:令N和NA表示电离施主和电离受主的浓度,则电中性方程为:

7.1 说明类氢杂质能级以及电离能的物理意义，为什么受主能级，施主能级分别位于价带之上或导带之下

例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化

例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为n=0.97m, mm=0.19m和mp=0.16m,mp=0.53m。,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能 (2)基态电子轨道半径

一、掌握一般杂质检查的原理、方法和计算。 二、熟悉特殊杂质检查的方法和原理