应用开发参考教材：GIS、MapInfo与MapBasic，北京大学出版社MapInfo6.0应用

《AutoCAD》实用参考资料，包括CAD技巧及LISP程序等。

6章程序结构……第10章结构体第11章类与对象第12章继承与派生类第13章运算符重载第14章输入输出

第一部分 ICETEK–VC5509-AE 评估板硬件使用指导 第一章 ICETEK–VC5509-AE 评估板技术指标. 第二章 ICETEK–VC5509-AE 原理图和实物图 . 第三章 接插件位置和拨档开关设置. 第四章 二次开发扩展总线（P1，P2，P3，P4）的定义与应用 第五章 TMS320VC5509 的存储空间和评估板的存储器映射 第六章 ICETEK–VC5509-AE评估板 I/O 寄存器的设计和使用. 第二部分 ICETEK-VC5509-AE 教学系统软件使用指导 实验设备安装 一．开发环境 . 二．ICETEK-DSP 教学实验箱的硬件连接 . 三．构造 DSP 开发软件环境 . 四．启动和设置 CCS 一．CCS 软件应用实验 实验 1 ：Code Composer Studio 入门 . 实验 2 ：编写一个以 C 语言为基础的 DSP 程序 . 实验 3 ：编写一个以汇编(ASM)语言为基础的 DSP 程序 实验 4 ：编写一个汇编和 C 混合的 DSP 程序 . 二．基于 DSP 芯片的实验 . 实验 ：DSP 数据存取实验 三．基于 DSP 系统的实验 . 实验 ：指示灯实验 . 实验 ：拨码开关控制实验 . 第三部分 ICETEK-VC5509-AE 教学实验指导 . 实验 ：单路，多路模数转换（AD） . 实验 ：外中断 . 实验 ：DSP 的定时器

以西石门铁矿堑沟底部结构诱导冒落法开采边角残留矿体为背景,对堑沟回采矿石量、金属量、品位等指标进行计算,建立了以采出金属量和采出品位为目标的多目标最优化数学模型.结合残矿开采实际情况,选择采出金属量作为最优化问题的主要目标.利用TCL脚本语言对SURPAC软件进行二次开发,并应用其对最优化问题约束条件下堑沟底部结构空间位置的可行方案进行全因子实验.最后得出采切工程布置的最优方案为:堑沟底部结构位于103.1 m水平,与矿体间距为18.65 m.较原设计方案,最优方案采出金属量提高27.79%

为了准确表征材料变形中逐渐劣化的过程,引入考虑损伤与裂纹萌发的弹塑性本构模型.基于Abaqus/Explicit的二次开发接口,编写耦合Lemaitre损伤模型的用户子程序,根据算例验证其可靠性.通过反复加载-卸载拉伸试验并利用弹性模量变化法来获得损伤参数值.建立辊式冲裁工艺有限元模型,应用Lemaitre损伤模型来预测断面质量,并进行试验验证.分析冲裁间隙、模具磨损与板厚等工艺参数对断面质量、冲裁力及扭矩的影响.结果表明:前刃口断面质量总体上要好于后刃口,但光亮带具有一定的倾角;塌角区会随冲裁间隙增加而增大;模具磨损程度增加会导致毛刺急剧增大;最大冲裁力与扭矩会随着板厚的增大而增大

本文介绍了一个Windows环境下的CAD系统以及在Windows环境下使用该系统的方法。构造该系统,使用AutoCAD9.30版,外挂矢量汉字,对AutoCAD进行了二次开发,建立了大量用户图块;用AutoLisp语言,编制了实用功能程序。利用窗口环境下多次执行AutoCAD的方法,实现了同时绘制编辑多张图纸,通过热键实现各图纸之间的快速切换;利用AutoCAD强大的图块功能,实现了图纸间的信息交换

主要为从事微电子材料抛光液与清洗剂的开发应用、生产以及销售。改进微电子产品生产工艺、提高其产品质量、降低其生产成本为目的。 生产产品主要包括： ➢ 以“FA/O 超大规模集成电路（ULSI）多层布线介质及铜布线化学机械全局平面化（CMP）纳米磨料抛光液”为代表的国际首例高技术产品； ➢ 以“FA/O 集成电路衬底硅片纳米磨料抛光液”、“FA/O 电子材料清洗剂、半导体材料切削液、倒角液、磨削液、活性剂”为代表的高技术更新换代产品。 产品主要应用于超大规模集成电路（ULSI）衬底半导体材料、半导体器件、正扩大应用于电视机玻壳，液晶显示屏、液晶显示屏基片玻璃、高档金属材料加工、蓝宝石、不锈钢模具及增加二次采油率等领域