第7章MCS51存储器与并行接口 芯片的扩展 71随机读写存储器RAM的扩展 72只读存储器ROM的扩展 73地址译码的方法 74并行接口芯片8155
第7章 MCS-51存储器与并行接口 存储器与并行接口 芯片的扩展 7.1 随机读写存储器 随机读写存储器RAM的扩展 7.2 只读存储器ROM的扩展 7.3 地址译码的方法 地址译码的方法 7.4 并行接口芯片8155
单片机最小系统 使单片机能运行的最少器件构成的系统。 无ROM芯片:8031必须扩展ROM,复位、晶振电路 有ROM芯片:89c51等,不必扩展ROM,只要有复位、晶振电路 8031 27128 5V 74LS373 D0-D7 P0.0-P0.7 D80 A0-A7 IK ALE OE CE P2.0-P2.5 A8-A13 XTAL2 12MHZ PSEN 30F OE XTALI
单片机最小系统 无ROM芯片：8031 必须扩展ROM，复位、晶振电路 有ROM芯片：89c51等，不必扩展ROM，只要有复位、晶振电路 使单片机能运行的最少器件构成的系统。 8031 27128 74LS373 P0.0-P0.7 ALE P2.0-P2.5 8D 8Q OE A8-A13 A0-A7 D0-D7 G EA OE CE PSEN 200 5V 1K RST 30P 30P 12MHz XTAL2 XTAL1
扩展使用的三总线 地址总线:P0—低8位 P2一高8位 数据总线:P0 控制总线:RD、WR、ALE、 PSEN (读、写、地址锁存允许、外程序存储器读选通)
扩展使用的三总线 地址总线：P0－低 8 位 P2－高 8 位 数据总线：P0 控制总线：RD 、WR 、 ALE 、 PSEN （ 读、 写、 地 址锁存允许、 外程序存储器读选通 ）
71随机读写存储器RAM的扩展 7.1.1RAM 数据存储器一般采用RAM芯片,这种存储器在电源关 断后,存储的数据将全部丢失。 RAM的类型很多,本课程只讲SRAM器件(其它请自 学): 动态RAM(DRAM),一般容量较大,易受干扰,要 定时刷新,使用略复杂。 静态RAM(SRAM),不需刷新,在工业现场常使用 SRAM
7.1 随机读写存储器 随机读写存储器RAM的扩展 7.1.1 RAM 数据存储器一般采用RAM芯片，这种存储器在电源关 断后，存储的数据将全部丢失。 RAM的类型很多，本课程只讲SRAM器件（其它请自 学）： 动态RAM（DRAM），一般容量较大，易受干扰，要 定时刷新，使用略复杂。 静态RAM（SRAM），不需刷新，在工业现场常使用 ＳＲＡＭ．
712SRAM的引脚 型号:6264前两位数62,表示SRAM后两位64÷8=8k字节容量 62128有128÷8=16k字节容量62256有256÷8=32k字节容量 62256 10 AO D0/1 9876 Al D|12 A2 13数pp Vcc vpp日o Vcc Vpp do D15据A12 H A12 WE A12 址445D517线A7 A4 D4 16总 A13A7 地5 6264 H CE2 A7 62128 62256 H A13 A8 A6 A8 A6 18 b A8 A6 总 D719 A9 A5 A9 A5 H A9 线 A11A4 a8 H Al1 A4 E 24A9 A10 23A1l 2 A12 A13 A14 A32AADm H OE A3 4 A3 A10 A2 4 A10A2 H CE1 A14 CE A1 D7 AO D6 D6 DO A15 D5 D5 D1 呢AEm654 控 D4 D2 D4 D2 制总线 OE (VPP) GND D3 GND D3 GND CE
7.1.2 SRAM的引脚 型号：6264 前两位数62, 表示SRAM 后两位64 ÷8=8k 字节容量 62128 有128 ÷8=16k 字节容量 62256 有256 ÷8=32k 字节容量 25 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 62256 10 CE OE (VPP) 9 8 5 4 3 7 6 11 12 13 17 18 19 15 16 22 20 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 A15 24 21 26 27 1 23 2 地 址 总 线 控 制 总 线 数 据 总 线 WE 27 A12 WE A7 CE2 A6 A8 A5 A9 A4 A11 Vpp Vcc 6264 A3 OE A2 A10 A1 CE1 A0 D7 D0 D6 D1 D5 D2 D4 GND D3 A12 WE A7 A13 A6 A8 A5 A9 A4 A11 Vpp Vcc 62128 A3 OE A2 A10 A1 CE A0 D7 D0 D6 D1 D5 D2 D4 GND D3 A12 A14 A7 A13 A6 A8 A5 A9 A4 A11 Vpp Vcc 62256 A3 OE A2 A10 A1 CE A0 D7 D0 D6 D1 D5 D2 D4 GND D3
7.1.3RM存储器的连接 存储器与单片机三总线的连接: 1)数据线Do~n 连接数据总线DBon 2)地址线A~N 连接地址总线低位AB0 N+ 3)片选线CS R/W 连接地址总线高位AB R/ W 4)读写线OE、(R/W) 单片机 存储器 连接读写控制线RD、WR。 出现的问题: 5单片机地址总线为P0、P2共16根,但P0也是数据总线。 似乎地址总线与数据总线发生冲突 解决方法: 采用地址锁存器,分时共用高8位,将地址与数据隔离开
7.1.3 RAM 7.1.3 RAM存储器的连接 存储器与单片机三总线的连接： DB0～n AB0～N D0～n A0～N ABN+x CS R/ W R/ W 单片机 存储器 1)数据线 D0～n 连接数据总线 DB0～n 2)地址线 A0～N 连接地址总线低位AB0～N。 3)片选线 CS 连接地址总线高位ABN+x。 4) 读写线OE、WE(R/W) 连接读写控制线RD、WR。 出现的问题： 51单片机地址总线为P0、P2共16根，但P0也是数据总线。 似乎地址总线与数据总线发生冲突。 解决方法： 采用地址锁存器，分时共用高8位，将地址与数据隔离开
7.14地址锁存器的原理 8D锁存器 00 三态门 QI D2 Q2 OUT Q3 D4 Q4 D5 Q D6 Q6 D7 Q7 O=D OE 三态: D锁存Q中 高电平:“1” D变化时Q不随之变化低电平:“0 (Q2=D) 高阻
7.1.4 地址锁存器的原理 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 G IN OUT 8D锁存器 三态门 OE Q=D D锁存Q中 D变化时Q不随之变化 (Q?=D) 三态: 高电平：“1” 低电平：“0” 高阻
地址锁存器芯片 74LS37 74LS573 74LS273 3 Q0/2 Q0/19 2 DO DO 4 DI 01 5 DI Q1 8 DI Q1/5 7 17 6 D2 Q26 D2 D2 16 Q3 13 13 D4 Q412 D4 D4 Q412 14 D5 15 14 14 D5 Q 17 D6 06L16 D6 Q613 17 D6 18 D7 Q199|D7Q71218D0719 OE OC CLR G G 74LS373与74LS573只是引脚布置的不同。 74LS273的11脚G逻辑与以上相反
地址锁存器芯片 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 74LS373 3 G OE 4 7 14 17 18 8 13 2 5 6 15 16 19 9 12 1 11 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 74LS573 2 G OC 3 4 7 8 9 5 6 19 18 817 14 13 12 16 15 1 11 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 74LS273 3 G CLR 4 7 14 17 18 8 13 2 5 6 15 16 19 9 12 1 11 74LS373 与74LS573只是引脚布置的不同。 74LS273 的11 脚 G逻辑与以上相反
AD 8 8~n 单片机复用总线结构, 数据与地址高8位分时 共用一组总线的说明: AD 0~7 ALE 地址锁存 R/ R/W 单片机 存储器 ALE 锁地 锁地 存址 存址 ADo 地址 数据 地址 数据 输出 有效 输出 有效 传数 送据 传送 数据 R/
单片机复用总线结构, 数据与地址高8位分时 共用一组总线的说明： ALE 锁存 地址 锁存 地址 地址 输出 数据 有效 地址 输出 数据 有效 AD 0 ～ n 传送 数据 传送 数据 R/W 单片机 AD 0 ALE R/W D 0 ～ 7 A 0 ～ 7 R/W 存储器 D Q G 地址锁存 AD 8 A 8 ～ n
71562128与MCS51的连接 8031 62128 74LS373 RST D0-D7 200 P0.0-P0.7 D80 A0-A7 ⊥LE OE P20-P2.5 A8-A13 XTAL2 30P P27 CE 12MHZ 30P RD OE XTALI WR E
7.1.5 62128与MCS51的连接 8031 62128 74LS373 P0.0-P0.7 ALE P2.7 P2.0-P2.5 8D 8Q OE A8-A13 A0-A7 D0-D7 G EA OE CE RD WR WE 200 5V 1K RST 30P 30P 12MHz XTAL2 XTAL1
