根据霍尔效应制作的磁场传感器
根据霍尔效应制作的磁场传感器
“磁电效应 霍尔效应
霍尔效应
霍尔效应 (A.H.Hall,1855-1938) 1日79年
霍尔效应 (A.H.Hall，1855-1938)
霍尔效应 BA 半导体址金属强得多
霍尔效应
霍尔效应 T0-92 S0T-23-3 S0T-89 T0-92-4 DFN2020-3 S0T23-5 自动化技术 检测技术 信息处理
霍尔效应 自动化技术 检测技术 信息处理
霍尔效应 载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势 霍尔电动势
霍尔效应 载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势 霍尔电动势
霍尔效应 每个电子受洛仑兹力fm的作用 Fm eBv e:电子电荷 V:电子运动平均速度 B:磁场的磁感应强度
霍尔效应 每个电子受洛仑兹力 fm 的作用 Fm = eBv e:电子电荷 v:电子运动平均速度 B:磁场的磁感应强度 Bv
霍尔效应 fm的方向 在金属导电板上底面积累电子 在下底面积累正电荷 附加内电场EH 霍尔电场
霍尔效应 f m 的方向 在金属导电板上底面积累电子 在下底面积累正电荷
霍尔效应 EH二b UH 电位差 由于霍尔电场，定向运动的电子除了受洛仑兹力外，还受霍尔电场的 作用，其大小为EH,该力与洛仑兹力方向相反，阻止电荷继续积累。 电子所受作用力大小相等、方向相反时 eEH evB
霍尔效应 𝐸𝐻 = 𝑈𝐻 𝑏 𝑈𝐻 ——电位差 由于霍尔电场，定向运动的电子除了受洛仑兹力外，还受霍尔电场的 作用，其大小为 eEH ，该力与洛仑兹力方向相反，阻止电荷继续积累。 电子所受作用力大小相等、方向相反时 ⅇ𝐸𝐻 = ⅇ𝑣𝐵