计算机维修与维护 第三章内存储器 教学目的: 了解内存的性能指标和结构; 学会识别区分各种内存; 掌握内存条的选购和测试。 教学重点(难点): 掌握内存的安装和基本设置 教学用具:各种类型内存储器若干 教学课时:2课时 TCVS
第三章 内存储器 • 教学目的： – 了解内存的性能指标和结构； – 学会识别区分各种内存； – 掌握内存条的选购和测试。 • 教学重点（难点）： – 掌握内存的安装和基本设置。 – • 教学用具：各种类型内存储器若干 • 教学课时：２课时 计算机维修与维护
第三章内存储器31基础知识:认识内存储器 3.1.1认识内存条 内存条主要由印刷电路板、内存颗粒、SPD芯片、金手指等 组成 PCB SPD 内存颗粒 金手指 TCVS
第三章 内存储器 3.1 基础知识：认识内存储器 3.1.1 认识内存条 内存条主要由印刷电路板、内存颗粒、SPD芯片、金手指等 组成。 SPD 金手指 PCB 内存颗粒
第三章内存储器31基础知识:认识内存储器 3.1.1认识内存条 印刷电路板(PCB) 内存颗粒的物理载体,多层结构,一般为4、6、8层,层数 越多,成本越高,但干扰越少,工作越稳定。 内存颗粒及封装 内存芯片是内存条的灵魂,其 结构和封装对速度、电气性能、散 热效果及抗干扰等影响极大。芯片 面积与封装面积的比值是衡量封装 先进程度的主要指标,比值越接近 1越理想 TCVS
第三章 内存储器 3.1 基础知识：认识内存储器 3.1.1 认识内存条 • 印刷电路板（PCB） 内存颗粒的物理载体，多层结构，一般为4、6、8层，层数 越多，成本越高，但干扰越少，工作越稳定。 • 内存颗粒及封装 内存芯片是内存条的灵魂，其 结构和封装对速度、电气性能、散 热效果及抗干扰等影响极大。芯片 面积与封装面积的比值是衡量封装 先进程度的主要指标，比值越接近 1越理想
第三章内存储器31基础知识:认识内存储器 3.1.1认识内存条 SPD芯片 8脚的SOC封装(3mm×4mm)256字节的 EEPROM芯片, 保存着内存生产厂家在内存出厂时所设定的有关内存的相关资料, 通常有内存条的容量、芯片模块的生产厂商、标称运行频率、是 否具备ECC校验等基本信息。主板芯片组通过识别SPD内的信息, 判断内存的相关性能并完成BIOS中内存的设定。SPD方便了系 统对内存的检测,确保内存处于正常的工作状态 金手指 内存与插槽的物理连接点,采用金、锡等金属材料制成的导 电触片。 TCVS
第三章 内存储器 3.1 基础知识：认识内存储器 3.1.1 认识内存条 • SPD芯片 8脚的SOIC封装（3mm×4mm）256字节的EEPROM芯片， 保存着内存生产厂家在内存出厂时所设定的有关内存的相关资料， 通常有内存条的容量、芯片模块的生产厂商、标称运行频率、是 否具备ECC校验等基本信息。主板芯片组通过识别SPD内的信息， 判断内存的相关性能并完成BIOS中内存的设定。SPD方便了系 统对内存的检测，确保内存处于正常的工作状态。 • 金手指 内存与插槽的物理连接点，采用金、锡等金属材料制成的导 电触片
第三章内存储器31基础知识:认识内存储器 3.12内存储器的分类 除常见的存储器外,经常使用的存储器还有各种类型。有 的以独立芯片形式存在,有的与其它模块共用一个封装 内存 ROM RAM MASK PROM FLASH SRAM DRAM 内存储器主要分类 TCVS
第三章 内存储器 3.1 基础知识：认识内存储器 3.1.2 内存储器的分类 除常见的存储器外，经常使用的存储器还有各种类型。有 的以独立芯片形式存在，有的与其它模块共用一个封装。 内存储器主要分类
第三章内存储器31基础知识:认识内存储器 3.12内存储器的分类一从工作原理分 ROM:只读存储器的特点是存储的数据掉电不丢失,且只 可读取不可写入。用于存放计算机中最基本的程序和硬件参数 现在主要使用 FLASH ROM(闪烁存储器),如,主板BIOS。 Flash rom在断电情况下仍能保持所存储的数据信息,数据处理 不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位,区块大小 般从256K到20MB;芯片具有瞬间清除能力。 Flash ROm源于 EPROM,存储容量大,闪存芯片的价格低,容易被修改、升级 RAM:随机存取存储器的特点是存储的数据掉电丢失,数 据可读、可写。RAM主要有DRAM和SRAM;其中,DRAM为 动态随机存取存储器,需定时刷新,其存储容量大、体积小、成 本价格低,用作内存条;SRAM为静态随机存取存储器,不需刷 新,其存储容量小、体积大、成本价格高,用作高速缓存。 TCVS
第三章 内存储器 3.1 基础知识：认识内存储器 3.1.2 内存储器的分类－从工作原理分 ROM：只读存储器的特点是存储的数据掉电不丢失，且只 可读取不可写入。用于存放计算机中最基本的程序和硬件参数。 现在主要使用FLASH ROM（闪烁存储器），如，主板BIOS。 Flash ROM在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，数据处理 不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一 般从256K到20MB；芯片具有瞬间清除能力。Flash ROM源于 EPROM，存储容量大，闪存芯片的价格低，容易被修改、升级。 RAM：随机存取存储器的特点是存储的数据掉电丢失，数 据可读、可写。RAM主要有DRAM 和SRAM ；其中，DRAM为 动态随机存取存储器，需定时刷新，其存储容量大、体积小、成 本价格低，用作内存条；SRAM为静态随机存取存储器，不需刷 新，其存储容量小、体积大、成本价格高，用作高速缓存
第三章内存储器31基础知识:认识内存储器 3.12内存储器的分类一从用途分 主存储器:用于临时存放正在运行的程序及参数和数据、 运算结果等。存储容量大,体积小。通常使用DRAM芯片,体现 为内存条 CACHE:实现高速CPU与低速内存之间的数据缓冲,减少 CPU等待时间。又细分为L1 CACHE,全速,位于CPU内部;L2 CACHE,全速或半速;甚至有的CPU上还有L3 CACHE BIOS:基本输入输出系统,负责实现设备的基本输入和输 出控制,提供系统信息。通常使用 Flash rom芯片。 CMOS:存放少量既须经常改变又需关机后保持的数据, 需电池供电维持数据存储 TCVS
第三章 内存储器 3.1 基础知识：认识内存储器 3.1.2 内存储器的分类－从用途分 主存储器：用于临时存放正在运行的程序及参数和数据、 运算结果等。存储容量大，体积小。通常使用DRAM芯片，体现 为内存条。 CACHE：实现高速CPU与低速内存之间的数据缓冲，减少 CPU等待时间。又细分为L1 CACHE，全速，位于CPU内部；L2 CACHE，全速或半速；甚至有的CPU上还有L3 CACHE。 BIOS：基本输入输出系统，负责实现设备的基本输入和输 出控制，提供系统信息。通常使用Flash Rom芯片。 CMOS：存放少量既须经常改变又需关机后保持的数据， 需电池供电维持数据存储
第三章内存储器31基础知识:认识内存储器 3.1.3内存条的分类 目前计算机中常用的内存条主要有 SDRAM、 DDR SDRAM RDRAM等三种类型。 PC-150 168线 SDRAM KINCMAK S/N: E2C009 184线DDR 184线 RAMBUS o illlinifuliniulitutitium ululutuiliillililiiiilhilil SDRAM、 DDR SDRAM和 RDRAM三种内存条 TCVS
第三章 内存储器 3.1 基础知识：认识内存储器 3.1.3 内存条的分类 目前计算机中常用的内存条主要有SDRAM 、DDR SDRAM 、 RDRAM 等三种类型。 168线SDRAM 184线DDR SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种内存条 184线RAMBUS
第三章内存储器31基础知识:认识内存储器 3.14内存的封装 目前内存的封装方式主要有TSOP、BGA、CSP等三种, 封装方式直接影响着内存条性能优劣。 TSOP封装:TOSP的特点就是在封装芯片的周围做出很多 引脚。TSOP封装操作方便,可靠性比较高,是目前主流的封装 方式。 BGA封装:球栅阵列封装,其最大的特点就歹系是芯片的 引弓传脚数目增多了,组装成品率提高了。采用BGA封装可以 在内存的在体积不变而的情况下将对内存容量提高二到三倍,与 TSOP相比,它具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。 CSP封装:CSP作为新一代封装方式。CSP封装不但体积小 同时也更薄,更能提高内存芯片长时间运行的可靠性,芯片速度 也随之得到大幅度的提高。目前该封装方式主要用于高频DDR 内存 TCVS
第三章 内存储器 3.1 基础知识：认识内存储器 3.1.4 内存的封装 目前内存的封装方式主要有TSOP 、BGA 、CSP 等三种， 封装方式直接影响着内存条性能优劣。 TSOP封装：TOSP的特点就是在封装芯片的周围做出很多 引脚。TSOP 封装操作方便，可靠性比较高，是目前主流的封装 方式。 BGA封装：球栅阵列封装，其最大的特点就歹系是芯片的 引弓传脚数目增多了，组装成品率提高了。采用BGA 封装可以 在内存的在体积不变而的情况下将对内存容量提高二到三倍，与 TSOP相比，它具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。 CSP封装：CSP作为新一代封装方式。CSP封装不但体积小， 同时也更薄，更能提高内存芯片长时间运行的可靠性，芯片速度 也随之得到大幅度的提高。目前该封装方式主要用于高频DDR 内存
第三章内存储器31基础知识:认识内存储器 3.15内存的技术指标 内存的时钟周期、存取时间和CAS延迟时间是衡量内存性 能比较直接的重要参数。它们都可以通过在主板BIOS中设置 时钟周期(tCK):代表内存可以运行的最大工作频率 数字越小说明内存所能运行的频率就越高。时钟周期与内存的工 作频率是成反比的,即tCK=1/f。 存取时间(tAC):仅代表访问数据所需要的时间。存取 时间越短,则该内存条的性能越好 CAS延迟时间:内存性能的一个重要指标,是内存纵向地 址脉冲的反应时间。 奇偶校验(ECC):内存工作时,极有可能在频繁的传输 数据的过程中出现错误。ECC就是一种数据检验机制。ECC不 仅能够判断数据的正确性,还能纠正大多数错误 TCVS
第三章 内存储器 3.1 基础知识：认识内存储器 3.1.5 内存的技术指标 内存的时钟周期、存取时间和CAS 延迟时间是衡量内存性 能比较直接的重要参数。它们都可以通过在主板BIOS中设置。 时钟周期（tCK）：代表内存可以运行的最大工作频率， 数字越小说明内存所能运行的频率就越高。时钟周期与内存的工 作频率是成反比的，即tCK =1／f 。 存取时间（tAC ）：仅代表访问数据所需要的时间。存取 时间越短，则该内存条的性能越好。 CAS 延迟时间：内存性能的一个重要指标，是内存纵向地 址脉冲的反应时间。 奇偶校验（ECC ) ：内存工作时，极有可能在频繁的传输 数据的过程中出现错误。ECC 就是一种数据检验机制。ECC 不 仅能够判断数据的正确性，还能纠正大多数错误