撞信惠州 复习 1.N沟道结型场效应管 (1)特性曲线 DSS (2)电流方程 DSS (工作于恒流区) U GS(off)
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 复习 1. N沟道结型场效应管 （1）特性曲线 （2）电流方程 2 GS(off) G S D DSS 1 = − U u i I （工作于恒流区）
信懂 2N沟道增强型MOs管(无原始导唣沟道) (1)特性曲线 d S GS(th) Gs(th) (2)电流方程 2=1-(工作于恒流区) GS(th
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 （1）特性曲线 （2）电流方程 2 GS(th) G S D DO 1 = − U u i I 2. N沟道增强型MOS管（无原始导电沟道） （工作于恒流区）
信懂 3N沟道耗尽型MQS管(有原始导电沟道) (1)特性曲线 Uco DSS U GS(off) GS(off) (2)电流方程 GS DSS U (工作于恒流区) GS(off) 注意P沟道管和V的极性应与N沟道管的相反
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 3. N沟道耗尽型MOS管（有原始导电沟道） （1）特性曲线 （2）电流方程 2 GS(off) G S D DSS 1 = − U u i I （工作于恒流区） DSS I 注意 P沟道管VGG和VDD的极性应与N沟道管的相反
2.7场效应笞放火电路(以N沟道答为例) 场效应管:压控元件(i=gmos) 主要用于高输入阻抗放大器的输入级 271场效应管放大电路的三科接法 ⑨共源法 ②共漏法 RIU 共法(锻少用 g &I R[ Rall ril
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 2.7 场效应管放大电路（以N沟道管为例） 场效应管：压控元件（iD =gmuGS） 主要用于高输入阻抗放大器的输入级 2.7.1 场效应管放大电路的三种接法 ①共源接法 ②共漏接法 ③共栅接法（极少用）
信懂 272场效应管放大电路静态Q点的设置方法及 其分析计算(以共源电略为例 基本共源电路 1.电路组成 ①N沟道增强型MoS管 放大 T ②电源vec 要求 VGGUGSO) O漏电源vD: 要求:V DS GS(th R 将电流的变化转化成电压的变化
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 2.7.2 场效应管放大电路静态Q点的设置方法及 其分析计算 （以共源电路为例） 一、基本共源电路 1. 电路组成 ①N沟道增强型MOS管 ②栅极电源VGG 放大 要求VGG>UGS(th) ③漏极电源VDD： 要求：VDS>uGS-UGS(th) ④Rd： 将电流的变化转化成电压的变化
速信注 2.静态Q点的确定 DD ①圜解法 令U=0 则U GSQGG T 输出特性曲线 交点Q DQ DD DR ②估算法 UosQ VGG 2 gsQ VGG ip=IDo GS GG DQ DO GS(th) GS GG UDsoVDD-IDoRd 存在的问题:双电源供电 DSQ DD
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 2. 静态Q点的确定 ①图解法 令 Ui = 0 则 UGSQ=VGG 输出特性曲线 uDS=VDD-iDRd 交点Q IDQ UDSQ 存在的问题：双电源供电 ②估算法 UGSQ=VGG， 2 GS(th) G S D DO 1 = − u u i I 2 GS(th) G G DQ DO 1 = − u V I I UDSQ=VDD-IDQRd
后, 撞信惠州 二自给偏压电路 DD 结型场效应管放大电路 (1)电路组成 自给偏压 2)静态Q点的确定 静态时 R GSO GO I R SQ DQ RsI C 2 Io =lDss GSO GS(off) R DSO DD Ipo (Ra +r 2.耗尽型MOS管放大电路 静态时U=0 u, R DO DSS U DSQ DQd
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 二自给偏压电路 1. 结型场效应管放大电路 （1）电路组成 自给偏压 （2）静态Q点的确定 静态时 GSQ G Q SQ DQ Rs U = U −U = −I 2 GS(off) GSQ DQ DSS 1 = − U U I I ( ) DSQ DD DQ Rd Rs U =V − I + 2. 耗尽型MOS管放大电路 静态时 0 UGSQ = DQ DSS I = I DSQ DD DQ Rd U =V − I
撞信惠州 、分压式偏置电路 o+y 1.电路组成 分E偏置电路 2.静态Q点的确定 静态时 R A R 1 GQ =U DD R+R U =I灬R DQ 于是,有 GSO GO TR DD Ro1+ ro2 DQ GSO 说明 DO DO GS(th) R2的作用是为使R增大 DSQ DD IDo ( Ra +Ro
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 三、分压式偏置电路 1. 电路组成 分压式偏置电路 2. 静态Q点的确定 静态时 DD g1 g2 g1 G Q A V R R R U U • + = = SQ DQ Rs U = I 于是，有 DD DQ s g 1 g 2 g 1 GSQ G Q SQ V I R R R R U U U • − + = − = 2 GS(th) GSQ DQ DO 1 = − U U I I ( ) DSQ DD DQ Rd Rs U =V − I + 说明 Rg3的作用是为使Ri增大
2.73场效应管放大电路的动态分析 场效应管的低频小信号等效模型 (以N沟道增强型Mos管为例) 将场效应管视为二端口网络 d u GS 栅源之间只有电压s,而无电流 facs llps) 取全微分得 ai di D D d L。 D au GS d DS GS
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 2.7.3 场效应管放大电路的动态分析 一、场效应管的低频小信号等效模型 （以N沟道增强型MOS管为例） 将场效应管视为二端口网络 栅—源之间只有电压uGS，而无电流 iD =f(uGS,uDS) 取全微分得 DS DS D G S G S D d D d d DS GS u u i u u i i U U + = + - - + uGS uDS DS i
信懂 ai d 十 d GS DS 令 ai GS DS 若信号较小,则g和r近似为常数 于是,有 U+-U s 场效应管的低频小号等效糢型如图所示 d go gr
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 DS DS D G S G S D d D d d DS GS u u i u u i i U U + = 令 m G S D g DS = U u i DS ds D 1 GS u r i U = ， 若信号较小，则gm和rds近似为常数 于是，有 ds ds d m gs 1 U r I g U = + 场效应管的低频小信号等效模型如图所示
