撞信惠州 复习 ①折线化的等效电路 1.二极管的等效电路 ②微变等效电路 ①整流〓极管 2常用的二极管」②稳压二极管 ③发光二极管 ④光电二极管 ⑤变容二极管 3晶体拿⑨起电流放大作用的外部条件和电流分配关系 B≈c>I≈BlB ②共射电流放大系娄 △ B=
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 复 习 1. 二极管的等效电路 ①折线化的等效电路 ②微变等效电路 2. 常用的二极管 ①整流二极管 ②稳压二极管 ③发光二极管 ④光电二极管 ⑤变容二极管 3. 晶体管 ①起电流放大作用的外部条件和电流分配关系 ②共射电流放大系数 B C I I C B I I B C i i =
信懂 13.3晶体管的共射特性曲线 、输入特性曲线 0.5V CEU ≥1V B=f(u BE川acE=常数 指数规律 说明 ①Uc=0时,输入特性曲线与 PN的伏安特性相似; ②Uc1→曲线右移0 MbE ③Uc≥1后,曲线基本重合 二、输出特性曲线 =f(u CE川1=常数
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 一、输入特性曲线 i B = f (uB E) uCE =常数 O B i uBE 说明 ①UCE=0时，输入特性曲线与 PN的伏安特性相似； 指数规律 ②UCE 曲线右移 ③UCE≥1后，曲线基本重合 二、输出特性曲线 i C = f (uCE ) I B =常 数
后, 信 说明 饱和区 ①输出特性曲线是一族曲线; 放 ②曲线的起始部分较陡; UCE≥1后,曲线几乎与横轴平A 大 行 区 ④晶体管有三个工作区 (a止区 B=0 特征:BES0n且u>uBE BS 0(c 截止区 CEO (b)放大区 特征4BE>Bn且n>BE→IC=Bn,A=1与基本无关 (c)饱和区 注意:临界饱和和临界放 的条件 特征nB>on且uE<BE CB=0 UCE-UBE
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 说明 ①输出特性曲线是一族曲线； ②曲线的起始部分较陡； ③UCE≥1后，曲线几乎与横轴平 行 ④晶体管有三个工作区 (a)截止区 特征： 0( 0) B C CEO B E on CE B E = I i I u u 且u u (b)放大区 特征： uB E uon且uCE uB E I C = I B ,i C = I B与uCE基本无关 (c)饱和区 特征： uB E uon且uCE uB E 注意：临界饱和和临界放 大的条件 uCB=0 uCE=uBE
后, 信懂 134晶体管的主要参数 、直流参数 1共射直流电流放大系数β β=-C CEO I>IcEo B B B 2共基直流电流放大系数a 若不计LBoa≈c E 3.极间反向电流 硅管比锗管的温 ③IcBo:集电结反向饱和电流。 ②/εo:穿透电流lo=(1+)lcBo 度稳定性好 说明 选管原则:/=几~100多,cm(cw)→好
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 1.3.4 晶体管的主要参数 一、直流参数 1.共射直流电流放大系数 B C CEO I I I β − = 2.共基直流电流放大系数 E C I I 3.极间反向电流 ①ICBO：集电结反向饱和电流。 ②ICEO ：穿透电流 IC>>ICEO B C I I 若不计ICBO CEO CBO I = (1+ )I 说明 选管原则：β＝几十～100多， ( ) CBO CEO I I 好 硅管比锗管的温 度稳定性好
信懂 二、交流参数 1共射交流电流放大系数 △i B=4 BCF常数 2共基交流电流放大系数α △i E\UCB常数 说明 近似地,|B≈Basa 3.特征频率f B=1分f
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 1.共射交流电流放大系数β =常 数 = CE B C U i i 2.共基交流电流放大系数α =常 数 = CB E C U i i 3.特征频率fT 1 T = f 二、交流参数 说明 近似地， ，
后, 信懂 极限参数 1最大集电設耗散功率PcMA PN=lri=常数 要求:Pc<P 过PcM= Acute CM 2最大集电极电流Lcw 损 耗 要求:lc<lcM 安全工作区 区 3.极间反向击穿电压 要求 UCE(BR)CEO (BRCEO CE 集-基微反向击穿电压 U(BR)CBo(几十~上干伏) 集-射反向击穿电压 U(BRCEOIU(BR)CEO< U(BR)CBoI 射-基极反向击穿电压Ugo(IV几v) 晶体管的安全工作区
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 三、极限参数 1.最大集电极耗散功率 PCM 2.最大集电极电流 ICM 3.极间反向击穿电压 集－基极反向击穿电压 U(BR)CBO（几十～上千伏） 集－射极反向击穿电压 U(BR)CEO[U(BR)CEO<U(BR)CBO] 射－基极反向击穿电压 U(BR)EBO（1V~几V） PCM = uCEi C = 常数 要求：pC<PCM 要求：iC<ICM 要求：uCE<u(BR)CEO 晶体管的安全工作区
信懂 1.3.5温度对晶体管特性及参数的影响 、温度对cBo的影响 Tx(Ox温度每升高10c,Igo增加约一倍。 二、温度对输入特性的影响 T一正向特性曲线左移 60°C|20°C 温度每升高10℃,大约下陶 2~2.5mV BE2 BEI
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对ICBO的影响 二、温度对输入特性的影响 温度每升高10 T ICBO 0C, ICBO增加约一倍。 T 正向特性曲线左移 温度每升高10℃，|uBE|大约下降 2～2.5mV
后, 信懂 三、温度对输出特性的影响 60°C r→曲线上移 →A>Aβ △ B2 结论 O ICE 输入特性左移 T→lco食 B食
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 三、温度对输出特性的影响 T 曲线上移 C C i i 结论 T 输入特性左移 ICEO IC
撞信强 【例1.3.1】现已测得某电路中几只晶体管三个极的直流电位如 表所示,各晶体管的U均为05V,试分别说明各管子的工作状态。 晶体管T1T2T3T4 B 0.71 0 U/V 00.3-1.70 50.70 15 工作状态放大饱和放大截止
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 【例1.3.1】现已测得某电路中几只晶体管三个极的直流电位如 表所示，各晶体管的Uon均为0.5V，试分别说明各管子的工作状态。 晶体管 T1 T2 T3 T4 UB /V 0.7 1 -1 0 UE /V 0 0.3 -1.7 0 UC/V 5 0.7 0 15 工作状态 放大 饱和 放大 截止
撞信强 【例1.3.2】在一个单管放大电路中,电源电压为30V。已知三 只管子的参数如表所示,请选用一只管子,并简述理由。 晶体管参数T 2 3 CBO A0.010.10.05 CEO 50 5020 15 100100 解】选T管
《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 【例1.3.2】在一个单管放大电路中，电源电压为30V。已知三 只管子的参数如表所示，请选用一只管子，并简述理由。 晶体管参数 T1 T2 T3 ICBO/μA 0.01 0.1 0.05 UCEO/V 50 50 20 β 15 100 100 【解】 选T2管