第五章 存储器 5-1存储器分类 5-2 随机存取存储器RAM 5-3只读存储器ROM 5-4 存储器的连接 5-5存储器空间的分配和使用 目录
第五章 存储器 5-2 随机存取存储器 随机存取存储器RAM 5-3 只读存储器ROM 5-4 存储器的连接 5-1 存储器分类 5-5 存储器空间的分配和使用 存储器空间的分配和使用
5-1存储器分类 一、按用途分 1.内部存储器（内存，主存) 存放当前正在使用的或经常使用的程序和数据，CPU可 以直接对它进行访问。内存的存取速度较快，一般是用 半导体存储器件构成。 内存的容量大小受到地址总线位数的限制。 1KB=210B,1MB=220B,1GB=230B,1TB=240B 2.外部存储器（外存，辅存） 外存的特点是大容量，所存储的信息既可以修改，也可 以保存，存取速度较慢，要由专用的设备来管理。 日录越回页
5-1 存储器分类 一、按用途分 1. 内部存储器（内存，主存） 存放当前正在使用的或经常使用的程序和数据，CPU可 以直接对它进行访问。内存的存取速度较快，一般是用 半导体存储器件构成。 内存的容量大小受到地址总线位数的限制。 1KB=210B,1MB=220B,1GB=230B,1TB=240B 2. 外部存储器（外存，辅存） 外存的特点是大容量，所存储的信息既可以修改，也可 以保存，存取速度较慢，要由专用的设备来管理
二、按存储器性质分类 1.随机存取存储器RAM 按集成电路内部结构的不同，分为： >静态RAM(SRA) 速度非常快、集成度较低、功耗较大 >动态RAM(DRAM① 集成度高、成本低、需要刷新电路、速度较慢 2.只读存储器ROM 按集成电路内部结构的不同，分为： ◆可编程ROM(PROM ◆ 可擦除可编程ROM(EPROM) ◆电可擦除可编程ROM(EEPROM) 日录运回凸量
二、按存储器性质分类 二、按存储器性质分类 1. 随机存取存储器RAM 按集成电路内部结构的不同，分为： 静态RAM (SRAM) 速度非常快、集成度较低、功耗较大 动态RAM (DRAM) 集成度高、成本低、需要刷新电路、速度较慢 2. 只读存储器ROM 按集成电路内部结构的不同，分为： 可编程ROM (PROM) 可擦除可编程ROM (EPROM) 电可擦除可编程ROM (EEPROM)
半导体存储器的分类 奴极型 凌写存储器 静态 MOS型 半导体存储器 动态 拖膜OM 可编程ROM 只族存储器 光擦PROM 电探PROM 图于礼半号学体安储器的)类 日录退回凸页
半导体存储器的分类
5-2 随机存取存储器 一、静态随机存取存储器 1.静态RAM的构成 X地址 选择线 双极型一快速稳定，集 成度低，工艺复杂。 MOS一速度较双极型 低，比DRAM快。 D 兼 六管基本存储器 T1T2一双稳态触发器 T3T4一负载管 I/O Y地址 I/O 选择线 T5T6-控制管 目录 越回页
5-2 随机存取存储器 随机存取存储器 一、静态随机存取存储器 一、静态随机存取存储器 1. 静态RAM的构成 双极型—快速稳定，集 成度低，工艺复杂。 MOS—速度较双极型 低，比DRAM快。 六管基本存储器 T1T2—双稳态触发器 T3T4—负载管 T5T6—控制管 VCC T3 T1 T4 T2 X 地址 选择线 A B D D T5 T6 T7 T8 I/O Y 地址 I/O 选择线
SRAM地址译码的两种方式： ①线性译码（单） n位 A 基本存储电路 地址泛码电略 Dr 0 i 26 W wol D。 D 1/o校制 外部效倨线 D 与输出 D-Do D, 缀冲 放大器 日录退回凸页
SRAM地址译码的两种方式 ： ①线性译码(单)
②复合译码（双） X62 X方向译码器 基本存储电路 X DD. D。 D Da D Y方向译码器 I/O控制逻辑 及缓冲放大器 ↑ A4A3A2A1A。 日录退回凸页
②复合译码(双)
·SRAM结构框图 ①地址译码器一采用复合译码 ②存储矩阵一可选用位结构矩阵或字结构矩阵 ③控制逻辑和三态数据缓冲器一通过读/写端和CS片选端 控制，由I/O电路对存储器单元输入/输出信号。 地 X Al- 址 译 驱 反相 动 32×32=-1024 器 器 存储单元 : 3 32 2 332 市市 1/0电路 输出 输入 控制 Y译码器 驱动 电路 31 读/写选片 地址反相器 A5 A6 A7 A8 A9 日录退回凸页
SRAM结构框图 ①地址译码器—采用复合译码 ②存储矩阵—可选用位结构矩阵或字结构矩阵 ③控制逻辑和三态数据缓冲器— 通过读/写端和CS片选端 控制，由I/O电路对存储器单元输入/输出信号。 1 2 31 32 1 2 31 32 读/写 选片 输入 A5 A6 A7 A8 A9 1 2 31 32 1 2 31 32 32×32﹦1024 存储单元 Ｘ 译 码 器 地 址 反 相 器 A0 A1 A2 A3 A4 驱 动 器 I/O 电路 Y 译码器 地址反相器 控制 电路 输出 驱动
2.静态RAM的例子 1 23 4 5678 9 a666 011213 872654321001918171615 o阳S444B0500200 GND 14 6264(8K×8位) 目录 越回凸页
2. 静态RAM的例子 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — VCC WE CS2 A8 A9 A11 OE A10 CS D7 D6 D5 D4 D3 1 28 2 27 3 26 4 25 5 24 6 23 7 22 8 21 9 20 10 19 11 18 12 17 13 16 14 15 6264(8K×8位)
1 123456789 876543210 44444444053 23456789012 432109876543 84486.3001DB GND Intel2114(1K×4位) Intel6116(2K×8位) 日录运回凸量
Intel 6116 (2K×8位) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 17 16 15 14 13 12 11 10 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A0 CS GND VCC A7 A8 A9 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 WE Intel 2114(1K×4位)