第四章主存储器
第四章 主存储器
■4.1主存储器处于全机的中心地位P105 ■4.2主存储器的分类 存储器系统的分类如图所示 ROM(不可改写ROM) ROM(只读存储器)PROM(一次可改写ROM) EPROM(多次可改写ROM) 内存储器一 E-PROM(多次电可改写ROM) flash memory(快擦型存储器) SRAM(静态存储器) RAM(随机存储器) DRAM(动态存储器)
4．1 主存储器处于全机的中心地位 P105 4．2 主存储器的分类 存储器系统的分类如图所示。 ROM (不可改写 ROM) ROM(只读存储器) PROM (一次可改写 ROM) EPROM (多次可改写 ROM) 内存储器 E2PROM(多次电可改写 ROM) flash memory(快擦型存储器) SRAM (静态存储器) RAM(随机存储器) DRAM(动态存储器)
43主存储器的技术指标 1.存储容量 存储容量是指存储器系统能容纳的二进制总位 数,常用字节数或单元数×位数来描述。 (1)字节数 若主存按字节编址,即每个存储单元有8位, 则相应地用字节数表示存储容量的大小 1KB=1024B,1MB=1K×IK=1024×1024B, 1GB=1KMB=1024×1024×1024B
4.3 主存储器的技术指标 1．存储容量 存储容量是指存储器系统能容纳的二进制总位 数，常用字节数或单元数×位数来描述。 (1) 字节数 若主存按字节编址，即每个存储单元有8位， 则相应地用字节数表示存储容量的大小。 1KB＝1024B，1 MB＝1K×IK＝1024×1024B， 1 GB＝1 KMB＝1024×1024×1024B
(2)单元数×位数 ■若主存按字编址,即每个存储单元存放 个字,字长超过8位,则存储容量用单 元数×位数来描述
(2) 单元数×位数 若主存按字编址，即每个存储单元存放 一个字，字长超过8位，则存储容量用单 元数×位数来描述
2.存取速度 (1)存取时间Ta ■存取时间是指从启动一次存储器操作到 完成该操作所经历的时间 ■(2)存取周期Tm ■存取周期又称读写周期、访问周期,它 是指存储器进行一次完整的读写操作所 需的全部时间,即连续两次访问存储器 操作之间所需要的最短时间
2．存取速度 (1)存取时间Ta 存取时间是指从启动一次存储器操作到 完成该操作所经历的时间。 (2)存取周期Tm 存取周期又称读写周期、访问周期，它 是指存储器进行一次完整的读写操作所 需的全部时间，即连续两次访问存储器 操作之间所需要的最短时间
般情况下Tm>Ta。这是因为对任 何一种存储器,在读写操作之后,总要 有一段恢复内部状态的复原时间。对于 破坏性读出的存储器,存取周期往往比 存取时间要大得多,甚至可以达到Tm= 2Ta,这是因为存储器中的信息读出后 需要马上进行再生
一般情况下Tm>Ta。这是因为对任 何一种存储器，在读写操作之后，总要 有一段恢复内部状态的复原时间。对于 破坏性读出的存储器，存取周期往往比 存取时间要大得多，甚至可以达到Tm ＝ 2Ta，这是因为存储器中的信息读出后 需要马上进行再生
存取时间与存取周期的关系见图42。 启动存取 存取完 下次存取 t2 存取时间 恢复时间 存取周期 图42读写时间与存取周期的关系
存取时间与存取周期的关系见图 4. 2 。 启动存取 存取完 下次存取 t1 t 2 t3 存取时间 恢复时间 存取周期 图 4.2 读写时间与存取周期的关系
■存取周期的倒数1/Tm,称为存取速度。 它表示单位时间内能读写存储器的最大 次数。1/Tm乘以存储总线宽度W就是 单位时间内写入存储器或从存储器取出 信息的最大数量,称为最大数据传送速 率,单位用位/秒表示
存取周期的倒数 1 ／Tm，称为存取速度。 它表示单位时间内能读写存储器的最大 次数。 1 ／Tm乘以存储总线宽度 W就是 单位时间内写入存储器或从存储器取出 信息的最大数量，称为最大数据传送速 率，单位用位／秒表示
■44主存储器的基本结构和基本操作 主存储器原理结构框图(见P107)。 存储器的基本操作如下:(见P107) ■(1)读操作 地址→AR,CPU发读命令,则:M(AR) →DR,存储器发 ready命令。 ■(2)写操作 地址→AR,数据→DR,CPU发写命令 则DR→M(AR),存储器发 ready命令
4.4 主存储器的基本结构和基本操作 主存储器原理结构框图（见P107）。 存储器的基本操作如下：（见P107） （1）读操作 地址→AR ，CPU发读命令，则：M（AR） →DR，存储器发ready命令。 （2）写操作 地址→AR ，数据→DR， CPU发写命令， 则DR→M（AR），存储器发ready命令
4.5读/写存储器(RAM ■42.1静态存储器(SRAM) ■静态半导体存储器(SRAM):可随机读写 其存储的数据表示为晶体三极管构成的 双稳态电路的电平;存储数据稳定;不 需刷新
4．5 读/写存储器（RAM） 4.2.1 静态存储器(SRAM) 静态半导体存储器(SRAM)：可随机读写； 其存储的数据表示为晶体三极管构成的 双稳态电路的电平；存储数据稳定；不 需刷新