第十章扫描电子显微分析和电子探针
扫描电子显微分析和电子探针 第十章 S D U T
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本章内容(SEM)扫描电子显微镜电子探针X射线显微分析（EPA)
扫描电子显微镜（SEM） 电子探针X射线显微分析(EPA) 本章内容 S D U T
(SEM)扫描电子显微镜1938年第一台SEM问世：1965年第一台商用SEM问世：SEM能弥补透射电镜样品制备要求很高的缺点景深大；放大倍数连续调节范围大；分辨本领比较高
◆ 1938年第一台SEM问世; ◆ 1965年第一台商用SEM问世; ◆ SEM能弥补透射电镜样品制备要求很高的缺点; ◆ 景深大; ◆ 放大倍数连续调节范围大; ◆ 分辨本领比较高。 扫描电子显微镜（SEM） S D U T
(SEM)扫描电子显微镜1)成像物理信号2)构造1.工作原理与构造3)SEM主要性能2.像衬原理3.应用
扫描电子显微镜（SEM） 1.工作原理与构造 2.像衬原理 ★ 3.应用 1） 成像物理信号 2） 构造 3） SEM主要性能 S D U T
认谢电子束二次电子-背射电子10成像物理信号俄电子特征x射线具有一定能量的电子，当吸收电子其入射固体样品时，将与样品样品内原子核和核外电子发生弹性和非弹性散射过透射电子程，激发固体样品产生多种物理信号
1）成像物理信号 具有一定能量的电子，当 其入射固体样品时，将与 样品内原子核和核外电子 发生弹性和非弹性散射过 程，激发固体样品产生多 种物理信号。 S D U T
1成像物理信号※背散射电子：背散射电子是被固体样品中的原子核或核外电子反弹回来的一部分入射电子。包括弹性背散射电子和非弹性背散射电子；能量高；来自样品表层几百纳米的深度；与原子序数有关
◆ 包括弹性背散射电子和非弹性背 散射电子； ◆ 能量高； ◆ 来自样品表层几百纳米的深度； ◆ 与原子序数有关。 1）成像物理信号 背散射电子是被固体样品中的原子核 或核外电子反弹回来的一部分入射电 子。 ※ 背散射电子： S D U T
形貌分析成像物理信号D (真)X，二次电子：C样品核外电子；样品表层几个纳米深度；能量小;产额与原子序数无关。primaryelectrons00000backsealteredelectronsOO0secondaryelectrons0valenceelectronsatomicnuclei各种电子信号还包括特征二次电子：如，俄的图示歇电子。atomic cross-section ol specimen surface
※（真）二次电子： ◆ 样品核外电子； ◆ 样品表层几个纳米深度； ◆ 能量小； ◆ 产额与原子序数无关。 1）成像物理信号 形貌 分析 各种电 子信号 的图示 还包括特征二次电子：如，俄 歇电子。 S D U T
10成像物理信号※吸收电子-入射电子束原子序数衬度。二次电子R背散射电子入射电子与样品相互作用后，能量耗尽的电子俄歌电子特征X射线称吸收电子。吸收电子的信号强度与背散射电子的信号强度相反，即背散射电子的信号强度弱，则吸收电子的强度就强，反之亦然。吸收电子样品※透射电子：透射电子仅取决于样品微区的成分、厚度、晶体结构及位相等
1）成像物理信号 ※ 吸收电子 原子序数衬度 。 ※ 透射电子： 仅取决于样品微区的成分、 厚度、晶体结构及位相等。 入射电子与样品相互作用后，能量耗尽的电子 称吸收电子。吸收电子的信号强度与背散 射电 子的信号强度相反，即背散射电子的信号强度 弱，则吸收电子的强度就强，反之亦然。 S D U T
1成像物理信号保持电平衡P6入射电子束二次电子背散射电子ip=i,+i,+ia+it俄歌电子特征X射线是入射电子强度；in吸收电子是背散射电子强度；ih样品i是二次电子强度；透射电子i是吸收电子强度;i是透射电子强度
保持电平衡 ip =ib+is+ia+it ip 是入射电子强度； ib 是背散射电子强度； is 是二次电子强度； ia 是吸收电子强度； it 是透射电子强度。 1）成像物理信号 S D U T