透射电子显微镜成像时,电子束是透过样 品成像。由于电子束的穿透能力比较低, 用于透射电子显微镜分析的样品必须很薄 根据样品的原子序数大小不同,一般在 50~500nm之间。制备透射电子显微镜分析 样品的方法很多,这里介绍几种常用的制 样方法

一、透射电镜的结构原理 二、射透电镜的主要性能

3.1 透射电镜对样品的要求 3.2 纳米粉末样品的制备方法 3.3 块状材料制备为薄膜样品方法 3.4 电子染色 3.5 金属投影技术 3.6 生物TEM样品的制备方法

报道了利用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜(TEM)研究结果,并对量子点的结构特性进行了讨论.结果表明:多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势;随着InAs量子点层数的增加,量子点的密度下降,其尺寸随层数的增加趋向均匀.在试验条件下,5层量子点材料的InAs量子点厚度和GaAs隔离层的厚度的选择都比较合理,其生长过程中的应变场更有利于自组织量子的形成

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电子显微镜的构造 成像原理 主要应用

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