§ 5.1 平衡PN结 PN结的形成和平衡能带图及自建势 空间电荷区和耗尽近似 泊松方程和电势、电场分布 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 偏置PN结能带图和准费米能级 偏置PN结的载流子分布和电流输运 偏置PN结的瞬态特性 § 5.3 PN结电容 耗尽电容 扩散电容 § 5.4 PN结的击穿 雪崩击穿 齐纳击穿

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

一、载流子的漂移运动和迁移率 二、迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 三、载流子的散射 四、强电场效应 五、霍尔效应 六、磁阻效应

一、根据杂质能级在禁带中的位置，将杂质分为： 二、浅能级杂质→能级接近导带底 Ec 或价带顶 Ev； 三、深能级杂质→能级远离导带底 Ec 或价带顶 Ev

例 1. 证明:对于能带中的电子，K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零

§6.1 现代MOS器件 §6.2 CCD器件 §6.3 存储器件 §6.4 纳米器件 §6.5 功率器件 §6.6 微波器件 §6.7 光电子器件 §6.8 量子器件

8.7半导体的其他特性和应用 一、热敏电阻(自学) 二、光敏电阻(自学) 三、温差电偶(自学) 四、集成电路:

6.1 晶体中电子的运动特征 一. Bloch 电子的准经典描述 二. 波包与电子速度 三. 电子的准动量 四. 电子的加速度和有效质量 6.2 在恒定电场作用下电子的运动 一.在 k 空间中的运动图象 二.在实空间中的运动图象 6.3 导体、绝缘体和半导体的能带论解释 一.满带电子不导电 二.未满带电子导电 三.近满带和空穴导电 四.导体、绝缘体和半导体

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§1 PN结的基本物理概念 §2 PN结的电流电压特性 §3 PN结的电容效应 §4 PN结的隧道效应 §5 PN结的光生伏特效应