4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理

1 植物体内的元素与类别 1.1 矿质元素与非矿质元素 （1）矿质元素：将植物烘干并充分燃烧后，余下一些不能挥发的残烬称为灰分，而以氧化物形式存在于灰分中的元素称为灰分元素或矿质元素。 （2）非矿质元素：燃烧时以气态形式散失到空气中的元素，如C、H、O、N、S等）

为了搞清镍的钝化行为,本文用极化曲线法及交流阻抗技术,通过对纯镍在中性H3BO3-Na2B4O7溶液及添加了K3Fe(CN)6/K4Fe(CN)6氧化-还原系溶液中的极化行为及交流阻抗特性的研究,讨论了钝化膜的电模型和电极反应

本文用交流阻抗技术,通过对钝化铬在中性H3BO3+Na2B4O7溶液中添加了K3Fe2(CN)6/K4Fe(CN)6氧化还原对溶液中的极化性能及交流阻抗特性的研究,讨论了铬的钝化膜的电路模型

导体：自然界中很容易导电的物质称为导体， 金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体， 如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和 绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、 砷化镓和一些硫化物、氧化物等

5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应

现代霍尔-埃鲁特(H-H)法铝电解槽规模大、工艺成熟, 利用该法电解制备铝基合金具有明显技术和经济优势. 目前国内外研究主要是在现有氟化物熔盐体系中添加多种合金元素氧化物, 合理调节电解质成分和工艺参数, 借助共电沉积和欠电位机制, 成功制备出多种铝基合金, 工业化试验亦有初步成果. 本文综合分析了上述进展及发展前景, 并指出在实现合金组成精准调控、合金产品成分均匀化、电解槽高电流效率运行等方面存在的问题, 旨在为相关研究提供参考

ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值

第一节 概述 第二节 合成生产技术 第三节 C1化工 以甲烷为原料生产乙炔、合成气和氧化产物和以合成气为原料的合成氮、合成甲醇、合成液体燃料等

用光学显微镜,透射电子显微镜及X射线衍射技术研究了粉末高温合金FGH95在热等静压及热等静压加热处理状态的显微组织。结果指出:在上述两种状态下试样中存在着γ'、MC、M23C6相,在原粉末颗粒边界发现有富A1和Zr的氧化物