一．选择题（21 分） 1．（本题 3 分） 如图所示，波长为λ的平行单色光垂直入射在折射率 为 n2 的薄膜上，经上下两个表面反射的两束光发生干涉， 若薄膜的厚度为 e ，而且，n1 >n2 >n3 ，则两束反射光在相 遇点的相位差为： [ ]

一、 等离子体的一般性质 二、等离子体辅助CVD的机理和特点 三、等离子体辅助的CVD方法

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其代码填入题干后的横线上,每题1分,共20分) 1.聚氯乙烯薄膜和聚乙烯薄膜相比D A保温性强耐尘染 B保温性差不耐尘染 C保温性差耐尘染 D保温性强不耐尘染

一、气体的放电现象与等离子体 二、物质的溅射效应和溅射产额 三、各种各样的溅射技术

11-3光程薄膜干涉 一、光程 光在真空中的速度 光在介质中的速度

§1—1 光的电磁理论 §1—2 波动的独立性、叠加性简谐波的表达式 §1—3 由单色光波叠加所形成的干涉花样 §1—4 分波面双光束干涉 §1—5 干涉条纹的可见度，光波的时间相干性和空间相干性 §1—6 菲涅耳公式 §1—7 分振幅薄膜干涉（一）——等倾干涉 §1—8 分振幅薄膜干涉（二）——等厚干涉 §1—9 迈克耳孙干涉仪 §1—10 法布里—珀罗干涉仪多光束干涉 §1—11 干涉现象的一些应用，牛顿圈

教学目标： 1、掌握光的各种干涉装置和干涉仪，光的干涉现象及其应用。 2、掌握分波前法，分振幅法分解波列的方法。 3、掌握光场的空间相干性和时间相干性概念。 §1 分波前干涉装置 光场的空间相干性 §2 薄膜干涉（一）——等厚条纹 §3 薄膜干涉（二）——等倾条纹 第三章 干涉装置 光场的时空相干性

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

7.1 化学热处理、薄膜复合工艺 7.2 镀覆与其它表面技术复合工艺 7.3 热喷涂与其它表面技术的复合工艺 7.4 多层薄膜复合工艺