4.1图层、线型和颜色的概念 4.1.1图层 4.1.2线型 4.1.3颜色

4.1概述 4.1.1无级调速 4.1.2调速静态技术指标

一、例题精解 【例题4.1】有一三相电路如图4.1所示,负载为星形联接,电源为三角形联接,ARLB图4.1例题4.1的图 已知R=12Q2,X1=9Q2,U1=380V。试求: (1)负载的相电流 (2)电源的相电流; (3)负载消耗的总功率;

4.1 高分子材料 4.1.1 工程塑料 4.1.2 橡胶 4.1.3 胶粘剂 4.2 工业陶瓷 4.2.1 陶瓷材料的分类 4.2.2 陶瓷材料的性能 4.2.3 常用工业陶瓷 4.3 复合材料 4.3.1 复合材料的性能特点 4.3.2 复合材料的分类

4.1 常用灌溉水质指标 常用灌溉水质指标 4.1.1 物理指标 4.1.2 化学指标 4.1.3 生物指标 4.2 灌溉水质标准 4.3 灌溉水质评价

4.1平面任意力系向平面内一点的简化 4.1.1力线平移定理 力线平移定理作用于刚体上的力,可平移至刚体内任意一点,但同时必须附加一力偶,力偶的矩等于原来的力对此点之矩。 4.1.2平面任意力系向平面内一点的简化·主矢与主矩 4.1.2.1主矢与主矩

• 4.1 显卡 • 4.1.1 显卡的概述 • 4.1.2 显卡结构 • 4.1.3 显卡的选购 • 4.2 显示器 • 4.3 基本输入设备——键盘 • 4.4 基本输入设备——鼠标

4.1 二烯烃 4.1.1 分类 4.1.2 二烯的命名 4.1.3 共轭双烯的化学性质 4.2 炔烃（alkynes) 4.2.1 结构与命名 4.2.2 炔烃的反应 1)加成反应：(1)还原成烯烃(2)亲电加成(3)自由基加成 (4)亲核加成； 2) 氧化反应; 3) 金属炔化物的生成; 4) 聚合反应 4.2.3 炔烃的制备 共轭效应 热力学控制的产物 动力学控制的产物

• 4.1 存储器的概念、分类和要素 •4.1.1 简介 •4.1.2 半导体存储器的分类 •4.1.3 选择存储器件的考虑因素 • 4.2 随机读写存储器（RAM） •4.2.1 静态RAM •4.2.2 动态RAM •4.2.3 几种新型的RAM 技术及芯片类型 • 4.3 只读存储器（ROM） •4.3.1 掩膜ROM •4.3.2 可擦除可编程的ROM（EPROM） •4.3.3 电可擦可编程ROM(EEROM) • 4.4 CPU与存储器的连接 •4.4.1 CPU与存储器的连接时应注意的问题 •4.4.2 存储器片选信号的产生方式和译码电路 •4.4.3 CPU（8088系列）与存储器的连接 • 4.5 IBM-PC/XT中的存储器，扩展存储器 •4.5.1 存储空间的分配 •4.5.2 ROM子系统 •4.5.3 RAM子系统 4.5.4 寻址范围 •4.5.4 寻址范围 •4.5.5 存储器的管理 •4.5.6 高速缓存器Cache

§4.1 光的衍射图样和惠更斯—菲涅耳原理 §4.2 单缝的夫琅禾费衍射