2.1 支路电流法 2.2 回路电流法 2.3 结点电压法 2.4 叠加定理 2.5 戴维南定理

ATM与B-ISDN的产生与发展 ATM基本原理 ATM交换技术 宽带综合业务数字网（B-ISDN）

一、大纲说明 (一)性质、任务与目的 本课程是应用电子技术、计算机控制技术、计算机应用与维护和机电技术等专业 必修的重要技术基础课。 主要任务是使学生获得数字电子技术的入门知识,掌握数字电路的基本工作原 理、分析方法和基本技能,培养学生分析问题和解决问题的能力。 目的是为今后深入学习有关专业课和从事数字电子技术方面的实际工作打下基础

《护理学基础》课程教学资源：急救知识与技术（电子版）第九章 气道梗塞急救技术

熟悉单相整流电路的组成、输出电 压和电流的波形、直流电压平均值 与交流电压有效值之间的关系，并 能初步选用整流器件。 了解滤波电路的作用，尤其是电容 滤波电路的工作原理

§2.1 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 §2.2 放大的概念与放大电路的性能指标 一、放大的概念 二、放大电路的性能指标 §2.3 基本共射放大电路的工作原理 §2.4 放大电路的分析方法 一、放大电路的直流通路和交流通路 二、图解法 三、等效电路法 §2.5 静态工作点的稳定 §2.6 晶体管放大电路的三种接法 §2.7 多级放大电路 §2.8 放大电路的频率特性 一、频率响应和频率失真 二、放大电路的频率响应和瞬态响应 三、晶体管的高频特性 四、单管共射放大电路的频率响应 五、放大电路的增益带宽积 六、多级放大电路的频率响应

一、信息技术的产生与发展 二、政府信息化的基本过程 三、电子政务的概念 四、电子政务的发展阶段 五、电子政务的基本内容

10.1 信号处理技术 10.2 噪声源及噪声耦合方式 10.3 共模与差模干扰 10.4 常用的干扰抑制技术

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

本章主要介绍用电测量指示仪表对电流、电 压、功率以及电阻、电感、电容、直读测量方 法,包括直接测量和间接测量。同时,对直读 测量所产生的误差也作粗略介绍