5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

2-1二极管:加正向电压导通,相当于开关闭合;反向电压截止,相当于开 关断开。三极管:UB<0V时,三极管可靠截止,相当于开关断开 ig》IBs时,三极管饱和,相当于开关闭合。 22(1)R↑,R2,|-UB↑ (2)R1↓,R2↑,|-UB↓,R个,β个,Uc↑ (3)RcL

一、缘栅型场效应管(MOS管)的结构与工作原理 二、主要参数及使用时的注意事项 三、场效管基本放大电路

3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法

7.1半导体二极管 7.2半导体三极管 7.3三极管单管放大电路 74场效应晶体管及其放大电路 7.5多级放大电路 7.6差动放大电路 7.7互补对称功率放大电路

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