SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

本章重点： 离子注入工艺机理、注入方法； 核、电子阻止，杂质分布函数、特点； 注入损伤：原因、种类、主要影响因素； 退火：机理、方法； 离子注入和热扩散比较； 6.1 概述 6.2 离子注入原理 6.3 注入离子在靶中的分布 6.4 注入损伤 6.5 退火 6.6 离子注入设备与工艺 6.7 离子注入的其它应用

7.1卤代烷( Haloalkanes) 7.1.1分类与命名 71.2卤代烷的制法 7.1.3卤代烷的物理性质 7.1.4卤代烷的化学性质 7.1.5饱和碳原子上亲核取代反应机理 7.1.6消除反应机理 7.2卤代烯烃( aloalkenes) 7.3氟代烃( Fluorohydrocarbon)

一、化学反应速度影响因素推测反应机理 二、反应机理与化学反应方程式两码事 三、按人的意愿控制改变化学反应速度具有重要工业价值

1、了解分解电压的意义和用途 2、了解产生极化作用的原因及双电层的结构,极化的分类与电化学极化的机理。 3、了解极化曲线以及电解池与原电池的极化曲线异同点 4、学会在电解过程中，用计算的方法判断电极上首先发生的反应 5、了解金属腐蚀的机理和防腐原理。 6、了解化学电源的应用及其评价

◼ 醛酮与醇的加成——缩醛（酮）的生成 ◼ 缩醛（酮）的生成机理 ◼ 醛酮与胺类化合物的加成——生成亚胺和烯胺 ◼ 亚胺或烯胺的形成及水解机理 ◼ Beckmann 重排及在合成上的应用

◼ 烯烃的结构、类型和命名 ◼ 烯烃的亲电加成反应，常见亲电加成产物类型 ◼ 亲电加成的一般机理（正碳离子机理） ◼ Markovnilkov加成规则及解释

◼ 卤代烃的消除反应 ◼ 消除反应的E2和E1机理，影响消除反应机理的因素， ◼ 消除的Zaitsev取向和Hofmann取向 ◼ 烯烃的类型及相对稳定性。 ◼ 反合成分析，Williamson醚合成法

1.微细加工出现的历史背景 2.微细加工的概念及特点 3.微细加工机理 4.微细加工方法 1.电火花加工的机理、特点及分类 2.电火花加工中的基本工艺规律 3.电火花加工设备和工作液 4.电火花穿孔成形加工

◼ 卤代烷的类型及命名 ◼ 卤代烷的亲核取代，取代产物的类型 ◼ 亲核取代反应的两种机理——SN1和SN2机理 ◼ 碳正离子，碳正离子的稳定性，碳正离子的重排