1. PLD期间的发展历程 2. PLD器件的基本结构 3. 基于存储器的PLD器件原理 4. PLA和PAL器件原理 5. GAL器件原理 6. CPLD器件原理 7. FPGA原理 7. Altera公司的PLD器件综述 8. Xilinx公司的PLD器件综述 9. Lattice公司的PLD器件综述 10. PLD器件的配置与编程 11. PLD器件中的JTAG技术和ISP技术

本章简要介绍各种半导体，导电特性。 1.1 半导体基本知识 1.3 晶体管 1.4 光电器件 1.5 绝缘栅场效应管

场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,是仅由一种载流子参与导电的半导体器件从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件

4.1 电阻、电感和电容的测量 4.2 半导体二极管、三极管与场效应管的测量 4.3 集成电路的测试

电路中的噪声主要来源于电阻内电子的热运动和晶体管中带电粒子的不规则运动。这些噪声是电路器件所固有的。而且噪声又是随机的，它是在某一平均值上下作连续的不规则的起伏变化，因此称为起伏噪声

6.1 概述 6.2 直流信号的放大 6.3 差分放大器 6.4 集成运算放大器典型电路介绍 6.5 集成运算放大器的性能参数和模型 6.7 集成运算放大器的应用 6.8 实际集成运放电路的误差分析 6.6 理想运放及其基本组态 6.9 在系统可编程模拟器件ispPAC 6.10 单电源供电运放电路 6.11 电流模式运算放大器 6.12 集成跨导放大器 6.13 模拟乘法器

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

9.1半导体存储器 9.2可编程逻辑器件

0.1非线性电子线路的作用 0.2非线性器件的基本特点 0.3本课程的特点

私立华联学院：《汽车电工电子技术》课程教学资源（电子教案）第六章 半导体器件、集成运放及其应用