通过采用一步纳米金属颗粒辅助化学刻蚀法(MACE)成功制备了多孔硅纳米线, 并主要研究了硅片掺杂浓度、氧化剂AgNO3浓度以及HF浓度对硅纳米线阵列形貌结构的影响规律. 研究结果表明: 较高的掺杂浓度更有利于刻蚀反应的发生和硅纳米线阵列的形成, 这是由于高掺杂浓度在硅片表面引入了更多的杂质和缺陷, 同时高掺杂浓度的硅片与溶液界面形成的肖特基势垒更低, 更容易氧化溶解形成硅纳米线阵列; 在一步金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列的过程中, 溶液中AgNO3浓度对于其刻蚀形貌和结构起到主要作用, AgNO3浓度过低或过高时, 硅片表面会形成腐蚀凹坑或坍塌的纳米线簇, AgNO3浓度为0.02 mol·L-1时, 硅纳米线会生长变长, 最终形成多孔硅纳米线阵列. 随着硅纳米线的增长, 纳米线之间的毛细应力会使得一些纳米线顶部出现团聚现象; 且当HF溶液浓度超过4.6 mol·L-1时, 随着HF酸浓度的增加, 硅纳米线的长度随之增加. 同时, 硅纳米线的顶部有多孔结构生成, 且硅纳米线的孔隙率随HF浓度的增加而增多, 这是由于纳米线顶部大量的Ag+随机形核, 导致硅纳米线侧向腐蚀的结果. 最后, 根据实验现象提出相应模型对多孔硅纳米线的形成过程进行了解释, 归因于银离子的沉积和硅基底的氧化溶解

真空电弧重熔镍基高温合金GH220,自耗电极端部熔化区\突出环\内部的镁分布基本均匀;而熔化液层及液固两相区的镁分布不均匀,从熔化液层表面到原始电极区镁含量显著增高。熔化液层中距表面约0.3毫米内的镁含量[Mg]s和重熔锭镁含量[Mg]i均与电极原始镁含量[Mg]e呈直线关系,本试验条件下,[Mg]s=0.18[Mg]e;[Mg]i=0.30[Mg]e。重熔过程的镁挥发主要发生于电极端部熔滴形成阶段,挥发过程主要受控于镁由原始电极向熔化液层-气相界面迁移的速度,传质系数K12=0.107厘米·秒-1。真空感应熔炼GH220,镁挥发受液相边界层中扩散与界面挥发反应的混合控制,并非受控于气相边界层中镁的扩散。在试验条件下,液相边界层中镁的扩散与界面挥发反应总传质系数K23=10-1~10-2厘米·秒-1,而气相边界层中镁扩散的传质系数K4=47.17厘米·秒-1。根据(d[Mg])/dτ=-K23·VA及-K23与工艺参数的关系,建立了镁挥发的数学模型,即[Mg]e与镁加入量、挥发温度、气相压力、保持时间、合金液面面积、溶体体积之间的定量关系式。此模型在实验室和生产条件下均得到了很好的验证,可用于调整真空感应熔炼的工艺参数,实现有效的控制合金镁含量

以X射线衍射仪、扫描隧道电子显微镜、能量散射光谱仪等手段对在悬浮预热器内筒上使用前后的反应烧结碳化硅陶瓷进行分析,研究该陶瓷应用于悬浮预热器上的损毁机制.碳化硅陶瓷中残存金属硅和表面的碳化硅在高温使用工况下首先氧化成SiO2,SiO2在K2O (g)、Na2O (g)、KCl (g)、Na Cl (g)等蒸气以及氯化物作用下黏度降低,形成覆盖于陶瓷表面的氧化层,继而被高速的气固流体冲蚀和磨损掉,并导致新的界面出现.如此循环,使碳化硅陶瓷的外侧逐渐变薄和断裂,直至损毁.提高陶瓷的致密性和降低残余硅含量是改进反应烧结碳化硅陶瓷在悬浮预热器中使用性能的有效途径

构建管流式冲刷腐蚀实验装置研究γ预辐照对铍在一号电火花加工油（EDM-1）中腐蚀性能的影响，研究铍试样质量变化，进行表面形貌及成分分析.结果表明，铍在EDM-1管流冲刷条件下受冲刷腐蚀和化学腐蚀的共同作用，前者主要受试样表面形态影响，后者主要受γ预辐照剂量、杂质元素、EDM-1中含硫有机物等的影响.辐照前后，试样质量均呈现先减小、后增大、再减小趋势，腐蚀速率基本随辐照剂量的升高而增大.γ预辐照促进了铍试样在EDM-1中点蚀核和蚀孔的产生，腐蚀2880 h后，未接受预辐照试样仅产生较为明显点蚀核，而接受200和100 kGy预辐照试样中的部分点蚀核发展成为蚀孔，前者直径约为后者2倍.点蚀核和蚀孔区域出现Al、Si、Fe、Cr、Ti等杂质元素及S元素，杂质元素为诱导产生点蚀的重要因素，含S有机物发生化学反应分别生成物理吸附和化学吸附于蚀孔内部的SO2和SOx，促进蚀孔的形成及扩展

研究了高钛球团的焙烧特征和固结行为.随着TiO2含量的增加,球团焙烧难度增大,当TiO2质量分数由10%增加至21%时,高钛球团所需预热时间由12 min延长至26 min以上,焙烧球强度由每个2486 N降低至每个1728 N.高钛球团由于FeTiO3含量高,导致氧化速度慢、预热球氧化程度低,不利于焙烧固结时钛赤铁矿固溶体晶粒的长大,使得球团固结强度差.通过添加NaOH结合润磨工艺增大颗粒表面能和反应活性,促进了固相扩散,并生成少量低熔点化合物,有利于再结晶过程的扩散迁移,使Ti富集在Fe2TiO5中并促进钛赤铁矿晶粒长大,强化了高钛球团焙烧固结,可使预热时间缩短至16 min,球团强度提高至每个2141 N

研究了高钛球团的焙烧特征和固结行为．随着TiO2含量的增加，球团焙烧难度增大，当TiO2质量分数由10%增加至21%时，高钛球团所需预热时间由12min延长至26min以上，焙烧球强度由每个2486N降低至每个1728N．高钛球团由于FeTiO3含量高，导致氧化速度慢、预热球氧化程度低，不利于焙烧固结时钛赤铁矿固溶体晶粒的长大，使得球团固结强度差．通过添加NaOH结合润磨工艺增大颗粒表面能和反应活性，促进了固相扩散，并生成少量低熔点化合物，有利于再结晶过程的扩散迁移，使Ti富集在Fe2TiO5中并促进钛赤铁矿晶粒长大，强化了高钛球团焙烧固结，可使预热时间缩短至16min，球团强度提高至每个2141N．

针对传统粗锑精炼工艺中除铅的难题,提出用NaPO3作为除铅剂,生成磷酸盐渣浮于锑液表面除去的方法.用热重-差热法和X射线衍射技术研究反应机理并进行粗锑除铅的条件实验.研究发现,PbO与NaPO3在590℃时即开始吸热反应,在850℃以下主要形成NaPb4(PO4)3,而在850℃以上主要形成NaPbPO4,反应彻底.PbO、Sb2O3和NaPO3混合物的反应表明:在NaPO3量不足时,优先与PbO反应,只有当NaPO3足量时才会与Sb2O3生成锑的非晶态玻璃.用NaNO3作为氧化剂,在氮气保护下进行了除铅单因素实验,考察反应时间和温度、NaPO3和NaNO3加入量对结果的影响.在最优条件下精锑含铅0.047%,除铅率98.90%

采用低温固相反应法制备了直接甲醇燃料电池用PtSn/C阳极催化剂,采用XRD、TEM等测试方法对催化剂的晶体结构和粒径大小进行了表征.结果表明:采用低温固相反应法制备的PtSn/C催化剂和Pt/C催化剂均表现为Pt的fcc晶体结构;Sn的加入导致Pt的晶胞参数增大;与同法所制Pt/C催化剂相比较,PtSn/C催化剂中金属Pt在碳载体上分布较均匀,金属粒子的粒径较小,平均粒径约为4.8nm,从而具有更大的反应表面积.电化学测试表明,对于甲醇电氧化,PtSn/C催化剂具有比Pt/C催化剂更强的催化能力

第1章概述了生物膜反应器的发展沿革、类型、特征和发展趋势;第 2章阐述了微生物在载体表面的固定机理、特性和各种影响要素;第3章详细介绍了各种 生物膜载体、载体选择和细胞固定技术;第4章论述了生物膜的净化机理、增长动力学、 基质去除动力学及动力学参数;第5章介绍了生物膜微生物能量代谢的PRT理论、 HERBERT理论、分离理论及数学模型;第6章详细描述了各种生物膜分析技术,包括生 物膜的含量确定、组分测定、厚度测定、活性分析、结构观察和活性标记等;第7章全面 分析了影响生物膜反应器运行的主要工艺参数和环境因素;第8章系统介绍了生物滤池、 生物转盘和淹没式生物滤池等典型生物膜反应器工艺的原理、构造、池型、工艺流程及设 计计算;第9章综合介绍了各种实用新型生物膜反应器工艺和复合式生物膜反应器工艺的 原理、特性和应用;第10章系统介绍了生物膜/悬浮生长联合处理工艺的联合方式、工艺 类型、工艺及相关处理设施的设计考虑等

通过干湿周浸加速腐蚀实验研究了不同稀土含量的耐候钢和对比普碳钢的腐蚀行为及其耐蚀性能.采用失重法测得了各试样的腐蚀率;结果发现,稀土耐候钢的腐蚀率远远低于普碳钢的,不同稀土含量的耐候钢的耐腐蚀性不尽相同.采用电化学交流阻抗技术对带锈钢样的表面锈层结构及电化学反应过程进行了研究,提出在本实验条件下钢电化学腐蚀的等效电路模型,计算出锈层电阻、极化阻抗等表征锈层性能的电化学元件参数值.稀土耐候钢锈层中存在半无限扩散和有限厚度扩散两种过程,有限厚度扩散极化阻抗反映了耐候钢内锈层的保护性能