• 4.1 存储器的概念、分类和要素 •4.1.1 简介 •4.1.2 半导体存储器的分类 •4.1.3 选择存储器件的考虑因素 • 4.2 随机读写存储器（RAM） •4.2.1 静态RAM •4.2.2 动态RAM •4.2.3 几种新型的RAM 技术及芯片类型 • 4.3 只读存储器（ROM） •4.3.1 掩膜ROM •4.3.2 可擦除可编程的ROM（EPROM） •4.3.3 电可擦可编程ROM(EEROM) • 4.4 CPU与存储器的连接 •4.4.1 CPU与存储器的连接时应注意的问题 •4.4.2 存储器片选信号的产生方式和译码电路 •4.4.3 CPU（8088系列）与存储器的连接 • 4.5 IBM-PC/XT中的存储器，扩展存储器 •4.5.1 存储空间的分配 •4.5.2 ROM子系统 •4.5.3 RAM子系统 4.5.4 寻址范围 •4.5.4 寻址范围 •4.5.5 存储器的管理 •4.5.6 高速缓存器Cache

2.1 变分法 2.1.1 变分原理 2.1.2 变分法 2.2 氦原子基态的变分处理 2.2.1 氦原子的 Schrödinger 方程 2.2.2 原子单位 2.2.3 单电子近似 2.2.4 反对称波函数和泡利(Pauli)原理 2.2.5 氦原子基态的变分处理 2.3 自洽场方法 2.3.1 氦原子总能量的表达式 2.3.2 哈特利-福克(Hartree-Fock)方程 2.4 中心力场近似 2.4.1 中心力场近似 2.4.2 屏蔽常数和轨道指数 2.5 原子内电子的排布 2.5.1 Pauli 原理 2.5.2 能量最低原理 2.5.3 洪特(Hund)规则 2.6 原子的状态和原子光谱项 2.6.1 电子组态与原子状态 2.6.2 原子光谱项 2.6.3 举例说明原子光谱项的写法 2.7 原子光谱 2.7.1 原子发射光谱和原子吸收光谱 2.7.2 原子光谱项所对应的能级 2.7.3 原子光谱的选择定则 2.8 定态微扰理论 2.8.1 非简并情况下的定态微扰理论 2.8.2 简并情况下的定态微扰理论 2.9 定态微扰理论的简单应用 2.9.1 氦原子基态的微扰处理 2.9.2 氢原子的一级斯达克(Stark)效应

一、多电子原子的能级 二、核外电子排布的规律 三、原子的电子结构与元素周期表 一、原子半径 二、电离能和电子亲和能 三、电负性

第五章:多电子原子:泡利原理 第一节氢的光谱和能级 第二节两个电孑的耦合 第三节泡利原理 第四节元素周期表

首先证明张量展开的一般公式,其次将张量展开的一般公式应用到Stark效应中。计算出电四极矩张量的哈密顿算符的矩阵元,并计算出原子在外电场中能级位移量,计算结果与曾给出的一种标准的计算方法的结果相一致

一、是非题,判断下列说法是否正确,正确的在括号中写上“√”,错误的写上“×”(共 10分) 1.单电子原子的能量只与主量子数有关,多电子原子的能量与主量子数和角量子数都有关。()

5.1 原子结构的近代概念 5.2 多电子原子的电子分布方式和周期系 5.3 化学键与分子间相互作用力 5.4 晶体结构

知识点： 波函数与电子云 原子核外电子分布的一般规律 原子结构和周期表 化学键 杂化轨道理论 分子间作用力 晶体结构 5.1 原子结构的近代概念 5.2 多电子原子的电子分布方式和周期系 5.3 化学键与分子间相互作用力 5.4 晶体结构

2.1 原子结构的近代概念 2.2 多电子原子的电子分布方式和周期系 2.3 化学键与分子间相互作用力 2.4 晶体结构

5.1 原子结构的近代概念 5.2 多电子原子的电子分布方式和周期系 5.3 化学键与分子间相互作用力 5.4 晶体结构