本章将介绍两种新的电路元件——电感元件和电容元件。电感元件和电容元件的主要性质之一——伏安特性，涉及导数或积分关系，因此由它们和电阻元件、电源元件共同构成的电路就称为动态电路

3.1正弦电压与电流 3.2正弦量的相量表示法 3.3电阻元件、电感元件与电容元件 3.4电阻元件的交流电路 3.5电感元件的交流电路 3.6电容元件的交流电路 3.7电阻、电感与电容元件串联交流电路 3.8阻抗的串联与并联 3.9复杂正弦交流电路的分析与计算 3.10交流电路的频率特性 3.11功率因数的提高

本书对元素化学作了较全面的论述。现在已知有107种元 素①,但并不都存在于自然界。从氢到铀的9和元素中,除了锝和 钷以外,全都能在地球上找到。已经探测到在某些恒星中有锝。除 了上述元素之外,在实验室中采用人工核合成的方法又增添了15 和元素。在自然界为什么只有90种元素?它们为什么具有所观察 到的丰度,以及它们的各种同位素为什么以所观絮到的这种特定 相对丰度存在?确实,我们还必须问

什么是子结构？ 子结构就是将一组单元用矩阵凝聚为一个单元的过程。这个单一的矩阵单 元称为超单元。在 ANSYS 分析中，超单元可以象其他单元类型一样使用。唯一 的 区 别 就 是 必 须 先 进 行 结 构 生 成 分 析 以 生 成 超 单 元 。 子 结 构 可 以 在 ANSYS/Mutiphysics，ANSYS/Mechanical 和 ANSYS/Structural 中使用。 使用子结构主要是为了节省机时，并且允许在比较有限的计算机设备资源 的基础上求解超大规模的问题

为了建立复杂系统的事元可拓模型,针对现实世界中具有多层结构、每个子层次结构又具有多个特征的复杂系统中各子系统的相互作用问题,从可拓学原理出发,在n维事元可拓集概念的基础上,提出了多层多维事元可拓集及其正域、负域、拓界的概念.给出了多层多维事元可拓集的正可拓域、负可拓域、正稳定域、负稳定域的定义.研究了多层多维事元可拓集的交运算等,讨论了有关性质,并对性质进行了严格证明,得到了多层多维事元可拓集交的可拓域、稳定域的表达式

以自蔓延高温合成的MoSi2和陶瓷矿物为原料,通过粉末冶金工艺制备了MoSi2发热元件,采用XRD,SEM和EDS等技术分析了MoSi2发热元件的微观组织结构和性能.结果表明:MoSi2发热元件的主要成分为MoSi2,Mo5Si3和陶瓷矿物.加入陶瓷矿物明显活化了MoSi2的烧结,降低了MoSi2的烧结温度,阻止了MoSi2晶粒的过度长大,使得发热元件具有比较均匀的组织结构以及较高硬度和断裂韧性.通电氧化可以使MoSi2发热元件表面生成一层以SiO2为主的含有少量MgO,CaO,Na2O,Al2O3等物质的玻璃相,提高了元件表面保护膜的稳定性

直接利用基本积分表和分项积分法所能计算的 不定积分是非常有限的，为了求出更多的积分，需 要引进更多的方法和技巧本节和下节就来介绍求积 分的两大基本方法——换元积分法和分部积分法。 在微分学中，复合函数的微分法是一种重要的 方法，不定积分作为微分法的逆运算，也有相应 的方法。利用中间变量的代换，得到复合函数的 积分法——换元积分法。通常根据换元的先后， 把换元法分成第一类换元和第二类换元

重点：1. 电压、电流的参考方向 3. 基尔霍夫定律 2. 电路元件特性 1.1 电路和电路模型（model) 1.2 电流和电压的参考方向 (reference direction) 1.3 电路元件的功率 (power) 1.4 电阻元件 (resistor) 1.5 电感元件 (inductor) 1.6 电容元件 (capacitor) 1.7 电源元件 (independent source) 1.8 受控电源 (非独立源) (controlled source or dependent source) 1.9 基尔霍夫定律 ( Kirchhoff’s Laws )

7.1 相图的表示和测定方法 7.1.1 二元相图的表示法 7.1.2 二元相图的测定方法 7.1.3 二元相图的线、区 7.2 相图热力学的基本要点 7.2.1 固溶体的自由能-成分曲线 7.2.2 多相平衡的公切线原理 7.2.3 混合物的自由能与杠杆法则 7.2.4 从自由能-成分曲线推测相图 7.2.5 二元相图的几何规律 7.3 二元相图分析 7.3.1 匀晶相图和固溶体凝固 7.3.2 共晶相图及合金凝固

第一节 三元相图的基础知识 第二节 三元匀晶相图 第三节 固态互不溶解的三元共晶相图 第四节 固态下有限互溶的三元相图 第五节 其它类型三元相图 第六节 三元相图(总结)